[發明專利]一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備有效
| 申請號: | 201810412850.0 | 申請日: | 2018-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN108396308B | 公開(公告)日: | 2023-06-09 |
| 發明(設計)人: | 夏海全;陳漢泉;孫交鍇;張平;王少良 | 申請(專利權)人: | 廣東鼎泰高科精工科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 潘俊達 |
| 地址: | 523000 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 多個熱絲 裝置 cvd 金剛石 涂層 設備 | ||
本發明屬于真空鍍膜的技術領域,具體涉及一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備,包括腔體裝置(1)、多個熱絲裝置(2)、主架裝置(3)、冷卻裝置(4)和驅動裝置(5),所述主架裝置(3)設置于所述腔體裝置(1)內,所述主架裝置(3)包括機架(31)及均布于所述機架(31)的多個載物臺(32),所述機架(31)與所述驅動裝置(5)的輸出端連接,多個所述載物臺(32)分別對應于多個所述熱絲裝置(2),且多個所述載物臺(32)均與所述冷卻裝置(4)連通。本發明采用多個熱絲裝置的設計,能夠提高涂層過程安全系數,滿足同一批次涂層產品的不同種類的要求,使涂層過程更加高效、安全、靈活。
技術領域
本發明屬于真空鍍膜的技術領域,具體涉及一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備。
背景技術
化學氣相沉積(CVD)?是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說,它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內,然后他們相互之間發生化學反應,形成一種新的材料,沉積到晶片表面上。現有技術的CVD?金剛石涂層設備的涂層效果不理想和涂覆的產品使用壽命短。
此外,在中國專利文件中公開了CVD?金剛石涂層設備(公開號CN?204661823?U),其包括,包括真空泵、鍍膜箱體和基片架,所述真空泵與所述鍍膜箱體連通,所述鍍膜箱體具有鍍膜腔,所述基片架設置于所述鍍膜腔內,在所述基片架的兩側分別設置有電極鉬架,兩個所述電極鉬架之間連接有鉭絲。在基片架上安放需鍍膜的樣品,然后通過真空泵將鍍膜腔抽氣至真空狀態,接著通入反應氣體甲烷和氮氣,再利用鉭絲碳化后加熱產生高溫將氫氣裂解電離成氫原子和等離子體,氫原子等離子體再將甲烷中的氫元素剝離形成大量有活性化學鍵的碳,碳碳相連組成金剛石,最后使得金剛石涂覆在樣品上。上述方法一定解決了涂層效果不理想和涂覆的產品使用壽命短的問題,但是這種方案至少還存在以下缺陷,涂層過程安全系數不夠高,同一批次涂層產品的種類不夠靈活的問題。
發明內容
本發明的目的在于:針對現有技術的不足,提供一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備,能夠提高涂層過程安全系數,滿足同一批次涂層產品的不同種類要求。
為了實現上述目的,本發明采用如下技術方案:
一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備,包括腔體裝置、多個熱絲裝置、主架裝置、冷卻裝置和驅動裝置,所述主架裝置設置于所述腔體裝置內,所述主架裝置包括機架及均布于所述機架的多個載物臺,所述機架與所述驅動裝置的輸出端連接,多個所述載物臺分別對應于多個所述熱絲裝置,且多個所述載物臺均與所述冷卻裝置連通。將多個熱絲裝置安裝在一個腔體裝置內,可以大大提高工件的裝載量,提高生產效率。
作為本發明所述的一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備的一種改進,所述機架包括升降桿和安裝平臺,所述安裝平臺設置于所述升降桿的頂部,多個所述載物臺均勻分布在所述安裝平臺的邊緣,所述升降桿包括圓柱及與所述圓柱連接連接為一體的齒桿,所述圓柱同軸連接有齒輪。采用圓柱和齒桿一體設計,能在通一個升降桿上實現旋轉和升降。
作為本發明所述的一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備的一種改進,所述升降桿內部為空心結構;所述載物臺為“V”形結構。升降桿采用空心設計,增加空間放置管道,使管道無需跟隨升降桿運動,有效利用升降桿內的空間。
作為本發明所述的一種具有多個熱絲裝置的CVD金剛石涂層設備的一種改進,所述腔體裝置包括腔體、通氣管和抽氣管,所述通氣管和所述抽氣管的一端均連通于所述腔體,所述通氣管的另一端連通于反應氣體裝置,所述抽氣管的另一端連通于抽真空裝置;所述通氣管和所述抽氣管均連接有閥門。增加閥門,使腔體保持真空狀態,同時防止腔體內反應氣體外泄,采用通氣管和抽氣管分開設計,防止操作不便導致漏氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





