[發明專利]一種用于半導體的不銹鋼零部件的V型槽的加工方法

有效

• 申請號: 201810409957.X
• 申請日: 2018-05-02
• 公開（公告）號: CN110434549B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 孫彬;邵佳;張偉;黃國峰;康樂樂;邵莎莎
• 申請（專利權）人: 靖江佳仁半導體科技有限公司
• 主分類號: B23P15/00
• 分類號: B23P15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種用于半導體的不銹鋼零部件的V型槽的加工方法，屬于零件加工領域。本發明通過改變傳統加工方法，將刀具刀片型號換成V槽型刀片，并固定與盤銑刀上；采用V型槽對不銹鋼鋼板加工，本發明還通過改變加工工藝，加工V型槽時零件的位置與刀具的側刃成90°方向的夾角，切削時通過刀具旋轉時的側刃將零件槽型加工出。避免了傳統立銑刀或鍵槽銑刀加工槽型，易產生切削熱、加工時間長、損耗刀具的缺點。

技術領域

本發明涉及一種零件加工方法，具體涉及一種用于半導體的不銹鋼零部件的V型槽的加工方法。

背景技術

MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。現有技術中，MOCVD設備不僅是GaN外延片生長的核心設備，而且也是生長GaAs和InP(無線通信電子器件和電路制造所用的半導體材料)的核心設備。隨著市場對光電器件、微波器件和微波功率器件的需求不斷增長。企業和研究機構對生產型和研究型MOCVD系統的需求也越來越多。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于MOCVD系統的不銹鋼零部件的V型槽的加工方法。

本發明的技術方案是：

一種用于半導體的不銹鋼零部件的V型槽的加工方法，包括如下步驟：

(1)前期準備：銑床加工處理不銹鋼鋼板，不銹鋼鋼板的上表面與下表面的平面度、平行度要求在0.1mm內；

(2)側面鉆孔：側面鉆孔：用深孔鉆床在不銹鋼鋼板的上下兩側側面加工若干深鉆孔；

(3)粗加工V型槽：如圖1-2，先將不銹鋼鋼板豎直固定在L板工裝上，再固定到機床工裝臺上；旋轉工作臺90°，使V型槽刀具的側刃與不銹鋼鋼板待加工表面垂直；旋轉刀具做上下直線運動進行切削加工V型槽，將V型槽的加工完成后；旋轉工作臺270°，按重復上述的步驟，執行程序切削相反方向的V型槽；

(4)固溶時效處理：將不銹鋼鋼板放置在在真空爐中，加熱使其將溫度升至1020℃±15℃，冷卻后，將其放置在回火爐中，加熱使其溫度升至760℃±10℃，保持90min；在1h內將不銹鋼鋼板冷卻到15℃，保持30min，再將其加熱到565℃±10℃后，空氣冷卻90min；

(5)精加工V型槽：將步驟(3)中刀刃換為度48°的成型刀，重復步驟(3)，精加工V型槽。

(6)加工水域恒溫孔槽：調整相應電參數脈寬大于20μs，脈沖間隙大于6倍脈寬切割零件，留余量0.02mm，分兩次精修余修，慢走絲線割水域恒溫孔槽；

(7)修正校平不銹鋼鋼板：在50T的壓力機上，將加熱溫度加熱到HV320-HV350之間，裝入不銹鋼鋼板下壓，在此溫度下保壓60秒至80秒；控制校正后不銹鋼鋼板平行度在0.1mm以內；

(8)檢測不銹鋼鋼板尺寸：用仿形規檢測不銹鋼V型槽大小，三次元檢測零件平行度、孔位及孔的大小為Φ5±0.1、形位公差0.2以內。

進一步的技術方案，在不銹鋼鋼板一側側面鉆孔時，先鉆孔30mm；再用內冷噴射鉆頭零速度移動，將噴射鉆頭埋入已加工的引孔25mm左右時，打開深孔鉆床的主軸轉速開關、機床內冷開關，抽吸切屑雜質排出；且鉆孔時需逐遞加長鉆頭長度，直到超過不銹鋼鋼板中心厚度的一半以上；在另一側相對位置按上述步驟加工，直到不銹鋼鋼板完全貫通。