[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810409593.5
• 申請(qǐng)日: 2018-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN109768030B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃文社;薛琇文;陳郁翔;陳啟平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L23/498
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

1.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，包括：

一半導(dǎo)體基底；

一第一介電層，在該半導(dǎo)體基底上；

一第一導(dǎo)電部件與一第二導(dǎo)電部件，在該第一介電層中；

一阻擋層，在該第一介電層中，其中該阻擋層在該第一介電層與該第一導(dǎo)電部件之間，該阻擋層包括氮，且該阻擋層具有一第一氮原子濃度；

一第二介電層，在該第一介電層上；

一電阻元件，電性連接至該第一導(dǎo)電部件，其中該電阻元件的一第一部分在該第二介電層上，該電阻元件的一第二部分往該第一導(dǎo)電部件延伸，該電阻元件具有一第二氮原子濃度，且該第二氮原子濃度大于該第一氮原子濃度；

一第三介電層，在該電阻元件上；以及

一第一導(dǎo)孔，在該第三介電層中并與該第二導(dǎo)電部件電性連接，其中該第一導(dǎo)孔與該第二導(dǎo)電部件之間的接觸面積小于該電阻元件與該第一導(dǎo)電部件之間的接觸面積，其中該電阻元件的密度大于該阻擋層的密度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該電阻元件順應(yīng)性地覆蓋該第二介電層的一頂面和一側(cè)面。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，還包括一第二導(dǎo)孔，在該第一介電層中，其中該第二導(dǎo)孔電性連接至該第一導(dǎo)電部件，且在該電阻元件和該第一導(dǎo)電部件之間的接觸面積大于在該第二導(dǎo)孔和該第一導(dǎo)電部件之間的接觸面積。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該第二介電層由不同于該第一介電層的材料所形成，且該第二介電層比該第一介電層薄。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該電阻元件的一頂面的整體直接接觸該第三介電層。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，還包含：

一第三導(dǎo)電部件，在該第三介電層中，其中該第三導(dǎo)電部件藉由該第三介電層，與該電阻元件電性絕緣。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該電阻元件的一部分延伸進(jìn)入該第一導(dǎo)電部件。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中電阻元件包含氮化鉭、氮化鈦或前述的組合。

9.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，包括：

一半導(dǎo)體基底；

一第一導(dǎo)電部件與一第二導(dǎo)電部件，在該半導(dǎo)體基底上；

一介電層，在該半導(dǎo)體基底上且圍繞該第一導(dǎo)電部件與該第二導(dǎo)電部件；

一阻擋層，在該介電層與該第一導(dǎo)電部件之間，其中該阻擋層包括氮，且該阻擋層具有一第一氮原子濃度；

一第二介電層，在該介電層上；

一電阻元件，在該第二介電層上，該電阻元件穿過(guò)該第二介電層且電性連接至該第一導(dǎo)電部件，該電阻元件具有一第二氮原子濃度，且該第二氮原子濃度大于該第一氮原子濃度；

一第三介電層，在該電阻元件上；以及

一導(dǎo)孔，在該第三介電層中并與該第二導(dǎo)電部件電性連接，其中該導(dǎo)孔與該第二導(dǎo)電部件之間的接觸面積小于該電阻元件與該第一導(dǎo)電部件之間的接觸面積，其中該電阻元件的密度大于該阻擋層的密度。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該電阻元件延伸進(jìn)入該第一導(dǎo)電部件，如此一來(lái)該電阻元件的一底面在該第一導(dǎo)電部件的一頂面下。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該電阻元件具有一大抵上平坦的頂面。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中該第二介電層具有一接觸開口，該接觸開口穿過(guò)該第二介電層且對(duì)準(zhǔn)該第一導(dǎo)電部件，且該電阻元件順應(yīng)性地沿著該接觸開口的一側(cè)面和該第一導(dǎo)電部件的一頂面延伸。

13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，還包含一第二導(dǎo)孔，電性連接至該第一導(dǎo)電部件，其中在該電阻元件和該第一導(dǎo)電部件之間的接觸面積大于在該第一導(dǎo)電部件和該第二導(dǎo)孔之間的接觸面積。