[發明專利]半導體裝置結構

有效

• 申請號: 201810409593.5
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN109768030B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 黃文社;薛琇文;陳郁翔;陳啟平
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/498
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

提供半導體裝置的結構和形成方法。半導體裝置結構包含半導體基底和在半導體基底上的第一介電層。半導體裝置結構也包含在第一介電層中的導電部件和在第一介電層上的第二介電層。半導體裝置結構還包含電性連接至導電部件的電阻元件。電阻元件的第一部分在第二介電層上，且電阻元件的第二部分往導電部件延伸。

技術領域

本公開實施例是關于半導體裝置結構，特別是有關于具有電阻元件的半導體裝置結構。

背景技術

半導體集成電路(integrated?circuit，IC)產業已經歷快速成長。集成電路的材料和設計上的技術發展已經生產好幾世代的集成電路。每一世代都具有比前一世代更小和更復雜的電路。

在集成電路發展的過程中，當幾何尺寸(亦即，使用制造工藝可以產生的最小元件(或線路))減小的同時，功能密度(亦即，每芯片面積的互連裝置的數量)通常也增加。這個尺寸縮減工藝通常通過增加生產效率和降低相關成本而提供許多好處。

然而，這些發展已增加工藝和制造集成電路的復雜度。由于部件尺寸持續縮小，制造工藝持續變得更難以執行。因此，在越來越小的尺寸中形成可靠的半導體裝置是項挑戰。

發明內容

根據一些實施例，提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底和在半導體基底上的第一介電層。半導體裝置結構也包含在第一介電層中的導電部件和在第一介電層上的第二介電層。半導體裝置結構還包含電性連接至導電部件的電阻元件。電阻元件的第一部分在第二介電層上，且電阻元件的第二部分往導電部件延伸。

根據一些實施例，提供一種半導體裝置結構的形成方法。本方法包含形成介電層于半導體基底上，且形成導線于介電層中。本方法也包含形成蝕刻停止層于介電層和導線上。本方法還包含圖案化蝕刻停止層，以形成接觸開口，露出導線的一部分。此外，本方法包含形成電阻層于蝕刻停止層上，且電阻層延伸進入接觸開口。本方法亦包含圖案化電阻層，以形成電阻元件。

根據一些實施例，提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底和在半導體基底上的導電部件。半導體裝置結構也包含在半導體基底上且圍繞導電部件的介電層。半導體裝置結構還包含在介電層上的第二介電層。此外，半導體裝置結構包含在第二介電層上的電阻元件。電阻元件穿過第二介電層且電性連接至導電部件。

附圖說明

通過以下的詳細描述配合所附附圖，可以更加理解本公開實施例的內容。需強調的是，根據產業上的標準慣例，許多部件(feature)并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意地增加或減少。

圖1A至圖1I是根據一些實施例的半導體裝置結構的形成工藝的各個階段的剖面圖。

圖2是根據一些實施例的半導體裝置結構的俯視圖。

圖3是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖4是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖5是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖6是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖7A至圖7F是根據一些實施例的半導體裝置結構的形成工藝的各個階段的剖面圖。

圖8A至圖8C是根據一些實施例的半導體裝置結構的形成工藝的各個階段的俯視圖。

圖9是根據一些實施例的半導體裝置結構的俯視圖。

圖10是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖11是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

附圖標記說明：

100、600半導體基底；