[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810404481.0
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108598123A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊婷雁;何傳友;馬群
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L27/12
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本申請?zhí)峁┝艘环N陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置，其中陣列基板包括形成在陽極層和像素界定層上的有機發(fā)光層，以及形成在像素界定層上，且位于相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的電流隔斷部，所述電流隔斷部用于隔斷相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的載流子移動；通過設(shè)置電流隔斷部，避免了相鄰像素之間電流的橫向移動，進(jìn)而中斷相鄰像素之間的信號串?dāng)_。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著應(yīng)用產(chǎn)品對高分辨率的要求，目前的產(chǎn)品都向著高PPI(pixels per inch：每英寸所擁有的像素數(shù)目)的方向發(fā)展。然而隨著PPI的提高，相鄰像素間的間距越來越小，在有機發(fā)光層的蒸鍍過程中，掩膜版邊緣導(dǎo)致的shadow陰影效應(yīng)以及掩膜版的對位偏移等都會導(dǎo)致相鄰像素間有機發(fā)光層的重疊，使有機發(fā)光層上產(chǎn)生橫向移動的電流，造成相鄰像素之間發(fā)生信號串?dāng)_，尤其在低灰階下相鄰像素間的信號串?dāng)_對顯示效果的影響更加明顯，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的顯示性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置，以解決相鄰像素間的信號串?dāng)_問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種陣列基板，包括：

基板以及圖案化形成在所述基板上的陽極層和像素界定層，所述像素界定層劃分形成多個像素區(qū)域；

形成在所述陽極層和所述像素界定層上的有機發(fā)光層；

以及形成在所述像素界定層上，且位于相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的電流隔斷部，所述電流隔斷部用于隔斷相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的載流子移動。

可選地，所述電流隔斷部為碳化的有機發(fā)光材料。

可選地，在相鄰的所述像素區(qū)域的中心連線方向上，所述電流隔斷部的寬度大于或等于2μm，且小于或等于10μm。

可選地，在相鄰的所述像素區(qū)域的中心連線方向上，所述電流隔斷部的寬度為5μm。

可選地，所述有機發(fā)光層包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種陣列基板的制備方法，包括：

提供基板；

在所述基板上圖案化形成陽極層和像素界定層，所述像素界定層劃分形成多個像素區(qū)域；

在所述陽極層和所述像素界定層上形成有機發(fā)光材料，得到有機發(fā)光層；

在所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間形成電流隔斷部，所述電流隔斷部用于隔斷相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的載流子移動。

可選地，在所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間形成電流隔斷部的步驟包括：

對所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的有機發(fā)光材料進(jìn)行碳化，形成所述電流隔斷部。

可選地，對所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的有機發(fā)光材料進(jìn)行碳化，形成所述電流隔斷部的步驟，包括：

通過掩膜版，對所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機發(fā)光層之間的有機發(fā)光材料通過激光照射進(jìn)行碳化，形成所述電流隔斷部。

可選地，在所述陽極層和所述像素界定層上形成有機發(fā)光材料的步驟，包括：

在所述陽極層和所述像素界定層上蒸鍍形成有機發(fā)光材料。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點：