[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810404481.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN108598123A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊婷雁;何傳友;馬群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56;H01L27/12
• 代理公司: 北京潤澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板以及圖案化形成在所述基板上的陽極層和像素界定層，所述像素界定層劃分形成多個(gè)像素區(qū)域；

形成在所述陽極層和所述像素界定層上的有機(jī)發(fā)光層；

以及形成在所述像素界定層上，且位于相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間的電流隔斷部，所述電流隔斷部用于隔斷相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間的載流子移動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述電流隔斷部為碳化的有機(jī)發(fā)光材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在相鄰的所述像素區(qū)域的中心連線方向上，所述電流隔斷部的寬度大于或等于2μm，且小于或等于10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在相鄰的所述像素區(qū)域的中心連線方向上，所述電流隔斷部的寬度為5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上圖案化形成陽極層和像素界定層，所述像素界定層劃分形成多個(gè)像素區(qū)域；

在所述陽極層和所述像素界定層上形成有機(jī)發(fā)光材料，得到有機(jī)發(fā)光層；

在所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間形成電流隔斷部，所述電流隔斷部用于隔斷相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間的載流子移動(dòng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間形成電流隔斷部的步驟包括：

對(duì)所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間的有機(jī)發(fā)光材料進(jìn)行碳化，形成所述電流隔斷部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，對(duì)所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間的有機(jī)發(fā)光材料進(jìn)行碳化，形成所述電流隔斷部的步驟，包括：

通過掩膜版，對(duì)所述像素界定層上，相鄰像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光層之間的有機(jī)發(fā)光材料通過激光照射進(jìn)行碳化，形成所述電流隔斷部。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述陽極層和所述像素界定層上形成有機(jī)發(fā)光材料的步驟，包括：

在所述陽極層和所述像素界定層上蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光材料。