[發(fā)明專利]像素界定結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810403536.6
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN110098220B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉新
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 曾銀鳳

1.一種像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用親液性材料在具有圖案化的像素電極的基板上制作第一像素界定層；

在所述第一像素界定層上對應(yīng)所述像素電極的圖案區(qū)域制作多個盲孔；

采用疏液性材料在所述第一像素界定層上制作第二像素界定層，使所述第二像素界定層覆蓋所述第一像素界定層的上表面以及所述盲孔的孔壁和孔底；

去除所述盲孔的孔底下部的所述第二像素界定層及所述第一像素界定層，形成貫穿至所述像素電極的像素坑。

2.如權(quán)利要求1所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述盲孔的深度為所述第一像素界定層的厚度的20％～80％。

3.如權(quán)利要求1所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述盲孔的尺寸從孔底至孔口逐漸增大。

4.如權(quán)利要求1所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一像素界定層的厚度為0.5μm～2.5μm，所述第二像素界定層的厚度為0.05μm～0.2μm。

5.如權(quán)利要求1所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述疏液性材料為超疏水材料。

6.如權(quán)利要求5所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述超疏水材料為聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯-聚二甲基硅氧烷或全氟烷基乙基甲基丙烯酸酯。

7.如權(quán)利要求1～6任一項所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述第一像素界定層上制作所述盲孔的方法為半曝光或納米壓印。

8.如權(quán)利要求1～6任一項所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述第一像素界定層上制作第二像素界定層的方法為通過等離子增強化學氣相沉積法在所述第一像素界定層上鍍制一層表面粗糙的疏液性材料。

9.如權(quán)利要求1～6任一項所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，去除所述盲孔下部的所述第二像素界定層及所述第一像素界定層的方式為機械剝離、激光剝離或刻蝕。

10.一種發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

按照權(quán)利要求1～9任一項所述的像素界定結(jié)構(gòu)的制作方法制作獲得所述像素界定結(jié)構(gòu)；

在所述像素坑內(nèi)制作發(fā)光功能層；

在所述發(fā)光功能層和所述第二像素界定層上制作頂電極層。