[發明專利]像素界定結構及發光器件的制作方法有效
| 申請號: | 201810403536.6 | 申請日: | 2018-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN110098220B | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 劉新 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾銀鳳 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 界定 結構 發光 器件 制作方法 | ||
本發明涉及一種像素界定結構及發光器件的制作方法,該制作方法,先在第一像素界定層上制作盲孔,然后制作第二像素界定層,使其覆蓋第一像素界定層的上表面以及盲孔的孔壁和孔底,由于位于盲孔孔底的第二像素界定層在一個平面上,只需要將通過相同工藝一步除去盲孔下方的第二像素界定層及第一像素界定層,并且不影響像素電極和第一像素界定層的性能,便于制備高分辨率的像素限定層結構,同時降低了刻蝕工藝的難度,從而降低了刻蝕工藝的成本。
技術領域
本發明涉及顯示器件領域,特別是涉及一種像素界定結構及發光器件的制作方法。
背景技術
OLED等發光器件由于具有自發光、視角廣、對比度高、低功耗等優點,被應用于新一代手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等領域,受到人們的廣泛關注。
目前,該類發光器件的各膜層主要通過蒸鍍工藝制備,即在真空腔體內加熱有機小分子材料,使其氣化,通過金屬掩膜板在玻璃基板上形成功能膜層。但由于真空蒸鍍設備昂貴,且無法制備大尺寸的器件,因而限制了該類發光器件的大規模使用。
噴墨打印技術是制備該類發光器件各膜層的另一途徑,其具有材料利用率高、無須受到大尺寸金屬掩膜板限制等優點,是實現低成本制備大尺寸該類發光顯示器的關鍵技術。此方法是用多個噴嘴將功能材料墨水滴入設定的像素區域,溶劑揮發后實現薄膜圖形化,因而無須金屬掩膜板圖形化。
為了將像素的顯示區圖案化,噴墨打印工藝需要在陽極表面制備像素界定層(bank)。像素界定層上有眾多的像素坑作為墨水的“容器”,每個像素坑對應于一個像素。對高分辨率的印刷顯示器件來說,為提高分辨率,像素坑之間具有較近的距離。然而,這容易導致噴墨打印時相鄰的像素坑中內的墨水發生橋接,造成混色,影響顯示效果。
發明內容
基于此,有必要針對高分辨率的印刷顯示器件中相鄰的像素坑中內的墨水容易發生橋接的問題,提供一種像素界定結構及發光器件的制作方法。
一種像素界定結構的制作方法,包括如下步驟:
采用親液性材料在具有圖案化的像素電極的基板上制作第一像素界定層;
在所述第一像素界定層上對應所述像素電極的圖案區域制作多個盲孔;
采用疏液性材料在所述第一像素界定層上制作第二像素界定層,使所述第二像素界定層覆蓋所述第一像素界定層的上表面以及所述盲孔的孔壁和孔底;
去除所述盲孔下部的所述第二像素界定層及所述第一像素界定層,形成貫穿至所述像素電極的像素坑。
在其中一個實施例中,所述盲孔的深度為所述第一像素界定層的厚度的20%~80%。
在其中一個實施例中,所述盲孔的尺寸從孔底至孔口逐漸增大。
在其中一個實施例中,所述第一像素界定層的厚度為0.5μm~2.5μm,所述第二像素界定層的厚度為0.05μm~0.2μm。
在其中一個實施例中,所述疏液性材料為超疏水材料。
在其中一個實施例中,所述超疏水材料為聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯-聚二甲基硅氧烷或全氟烷基乙基甲基丙烯酸酯。
在其中一個實施例中,在所述第一像素界定層上制作所述盲孔的方法為半曝光或納米壓印。
在其中一個實施例中,在所述第一像素界定層上制作第二像素界定層的方法為通過等離子增強化學氣相沉積法在所述第一像素界定層上鍍制一層表面粗糙的疏液性材料。
在其中一個實施例中,去除所述盲孔下部的所述第二像素界定層及所述第一像素界定層的方式為機械剝離、激光剝離或刻蝕。
一種發光器件的制作方法,包括如下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





