[發明專利]內嵌式觸控陣列基板、顯示面板及制造方法

在審

• 申請號: 201810402217.3
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108511465A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G02F1/1333;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;劉巍

本發明涉及一種內嵌式觸控陣列基板、顯示面板及制造方法。該內嵌式觸控陣列基板包括：基板(10)；設于基板(10)上的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列包括圖案化的遮光層(11)和圖案化的源漏極層(17)；設于所述低溫多晶硅TFT陣列上的圖案化的平坦層(18)；設于平坦層(18)上的圖案化的底部透明電極(22)；設于底部透明電極(22)上的圖案化的鈍化層(23)；設于鈍化層(23)上的圖案化的頂部透明電極(24)；源漏極層(17)包括與上方底部透明電極(22)相連接的第一走線(171)，所述遮光層(11)包括作為觸控信號線的第二走線(111)，所述第二走線(111)與上方的第一走線(171)相連接。本發明減少一道光罩，減少3次成膜，制程簡化，成本降低。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種內嵌式觸控陣列基板、顯示面板及制造方法。

背景技術

觸控顯示面板根據結構不同可劃分為：觸控電路覆蓋于液晶盒上式(On Cell)，觸控電路內嵌在液晶盒內式(In Cell)、以及外掛式。內嵌式觸控顯示面板具有成本較低、厚度較薄等優點，受到各大面板廠家青睞，已演化為未來觸控技術的主要發展方向。

參見圖1，其為一種現有內嵌式觸控陣列基板的剖面展開示意圖。目前高解析度內嵌式觸控(In-Cell Touch)已成為低溫多晶硅(LTPS)LCD顯示面板主流，目前內嵌式觸控多采用底部透明電極(BITO)22作為觸控信號電極，使用獨立金屬(Metal)線作為觸控(Touch)信號線，觸控信號線多采用獨立的第三金屬層(M3)20制作而成。與非內嵌式(Non In-Cell)相比較，需要增加第一絕緣層19&第三金屬層20、第二絕緣層21(IL1&M3、IL2)三次成膜、兩道光罩(Mask)制程，制造成本、不良率也隨之增加。

現有內嵌式觸控陣列基板主要包括：基板10，設于基板10上的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列，設于低溫多晶硅TFT陣列上的平坦層18，以及設于平坦層18上的第一絕緣層19，可作為觸控信號線的第三金屬層20，第二絕緣層21，可作為觸控信號電極的底部透明電極22，鈍化層23，以及可作為像素電極的頂部透明電極24；低溫多晶硅薄膜晶體管陣列主要包括遮光層11，緩沖層12，多晶硅層13，柵極絕緣層14，柵極層15，層間介質層16，以及源漏極層17。

目前內嵌式觸控低溫多晶硅LCD顯示面板的TFT結構以及制造工藝主要包括：

(1)形成遮光層(LS)11：遮光層成膜→光刻(Photo)→蝕刻→剝離(Strip)，形成遮光層圖案；在基板10上形成遮光層11，遮光層11一般為金屬層，利用光罩制程圖案化遮光層11，剝離光阻；

(2)形成多晶硅層(P-Si)13：3L成膜→準分子激光退火(ELA)→光刻→干蝕刻→剝離；在遮光層11上形成緩沖層12，例如SiNx/SiOx，之后在緩沖層12上形成多晶硅層13，然后圖案化多晶硅層13，剝離光阻；

(3)NCD：光刻→NCD離子注入(IMP)→剝離；對多晶硅層13進行溝道摻雜，形成溝道；

(4)NP：光刻→NP離子注入→剝離；對多晶硅層13進行N型離子重摻雜，形成NMOS溝道兩側的源極區和漏極區；

(5)形成柵極絕緣層14&柵極層15(GI&Gate)：柵極絕緣層14&柵極層15成膜→光刻→蝕刻→輕摻雜漏極區(LDD)離子注入；形成柵極絕緣層14和柵極層15，然后圖案化柵極層15和柵極絕緣層14，形成TFT的柵極以及掃描線等結構，通過離子注入形成輕摻雜漏極區；

(6)Pp：光刻→Pp離子注入→剝離；對多晶硅層13進行P型離子重摻雜，形成PMOS溝道兩側的源極區和漏極區；

(7)形成層間介質層(ILD)16：層間介質層成膜→快速熱退火(RTA)→光刻→干蝕刻→剝離；形成層間介質層16，圖案化；