[發(fā)明專利]內(nèi)嵌式觸控陣列基板、顯示面板及制造方法

在審

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• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108511465A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G02F1/1333;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;劉巍

1.一種內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，包括：

基板(10)；

設于基板(10)上的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列，所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列包括圖案化的遮光層(11)和圖案化的源漏極層(17)；

設于所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列上的圖案化的平坦層(18)；

設于平坦層(18)上的圖案化的底部透明電極(22)；

設于底部透明電極(22)上的圖案化的鈍化層(23)；

設于鈍化層(23)上的圖案化的頂部透明電極(24)；

所述源漏極層(17)包括與底部透明電極(22)相連接的第一走線(171)，所述遮光層(11)包括作為觸控信號線的第二走線(111)，所述第二走線(111)與第一走線(171)相連接。

2.如權利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列包括：

設于基板(10)上的圖案化的遮光層(11)；

設于基板(10)和遮光層(11)上的圖案化的緩沖層(12)；

設于緩沖層(12)上的圖案化的多晶硅層(13)；

設于多晶硅層(13)和緩沖層(12)上的圖案化的柵極絕緣層(14)；

設于柵極絕緣層(14)上的圖案化的柵極層(15)；

設于柵極層(15)上的圖案化的層間介質(zhì)層(16)；

設于層間介質(zhì)層(16)上的圖案化的源漏極層(17)。

3.如權利要求2所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述緩沖層(12)設有接觸孔，以用于第一走線(171)連接第二走線(111)。

4.如權利要求2所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層(14)設有過孔，以用于第一走線(171)連接第二走線(111)。

5.如權利要求2所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述層間介質(zhì)層(16)設有過孔，以用于第一走線(171)連接第二走線(111)。

6.如權利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述平坦層(18)設有過孔，以用于底部透明電極(22)連接第一走線(171)。

7.如權利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述平坦層(18)和鈍化層(23)分別設有過孔以用于所述頂部透明電極(24)連接源漏極層(17)。

8.如權利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板，其特征在于，所述底部透明電極(22)和頂部透明電極(24)為氧化銦錫電極。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括：如權利要求1～8任一項所述的內(nèi)嵌式觸控陣列基板。

10.一種內(nèi)嵌式觸控陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板(10)上形成遮光層(11)，圖案化遮光層(11)，形成作為觸控信號線的第二走線(111)；

形成緩沖層(12)及多晶硅層(13)，圖案化多晶硅層(13)；

圖案化緩沖層(12)，形成用于第二走線(111)連接第一走線(171)的接觸孔；

對多晶硅層(13)進行溝道摻雜；

對多晶硅層(13)進行N型離子重摻雜；

形成柵極絕緣層(14)和柵極層(15)，圖案化柵極層(15)和柵極絕緣層(14)，柵極絕緣層(14)形成用于第二走線(111)連接第一走線(171)的過孔；

對多晶硅層(13)進行P型離子重摻雜；

形成層間介質(zhì)層(16)并使其圖案化，形成用于第二走線(111)連接第一走線(171)的過孔；

形成源漏極層(17)并使其圖案化，形成用于與底部透明電極(22)相連接的第一走線(171)；

形成平坦層(18)并使其圖案化，形成用于底部透明電極(22)連接第一走線(171)的過孔；

形成底部透明電極(22)，并使其圖案化；

形成鈍化層(23)，并使其圖案化；

形成頂部透明電極(24)，并使其圖案化。