[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810401297.0 | 申請日: | 2018-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN108598039B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 秦冬杰;龐冬;金香馥;吳美燕;易師甜;劉旭 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
對所述顯示基板表面的過孔進行填充;
所述對所述顯示基板表面的過孔進行填充包括:
在所述顯示基板表面形成絕緣層,去除所述絕緣層位于所述過孔外的部分,形成位于所述過孔內的絕緣圖形;
所述制作方法包括:
形成包括有過孔的鈍化層的圖形;
在所述鈍化層的圖形上形成透明導電層;
在所述透明導電層上形成所述絕緣層;
通過一次構圖工藝形成所述透明導電層的圖形和所述絕緣圖形。
2.根據權利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述絕緣層的厚度不大于所述過孔的最大深度。
3.根據權利要求2所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述絕緣層的厚度等于所述過孔的最大深度。
4.根據權利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述顯示基板包括過孔區和顯示區,所述鈍化層的圖形包括位于所述過孔區的第一過孔,所述制作方法具體包括:
在包括所述第一過孔的所述鈍化層上形成所述透明導電層;
在所述透明導電層上形成所述絕緣層;
在所述絕緣層上形成光刻膠層;
采用掩模板對所述光刻膠層進行曝光,顯影后形成光刻膠去除區域和光刻膠部分保留區域和光刻膠完全保留區域,所述光刻膠完全保留區域對應所述第一過孔,所述光刻膠去除區域對應所述顯示區的所述透明導電層的待去除部分,所述光刻膠部分保留區域為除所述光刻膠去除區域和所述光刻膠完全保留區域之外的區域;
對光刻膠去除區域的所述絕緣層和所述透明導電層進行刻蝕;
灰化掉光刻膠部分保留區域的光刻膠;
刻蝕掉光刻膠部分保留區域的所述絕緣層;
剝離光刻膠完全保留區域的光刻膠,形成位于所述第一過孔內的絕緣圖形和透明導電層的圖形。
5.根據權利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述顯示基板包括過孔區和顯示區,所述鈍化層包括位于所述過孔區的第二過孔和第三過孔,所述第二過孔的深度小于所述第三過孔的深度,所述制作方法具體包括:
在包括所述第二過孔和所述第三過孔的所述鈍化層上形成所述透明導電層;
在所述透明導電層上形成所述絕緣層;
在所述絕緣層上形成光刻膠層;
采用掩模板對所述光刻膠層進行曝光,顯影后形成光刻膠去除區域和第一光刻膠部分保留區域、第二光刻膠部分保留區域和光刻膠完全保留區域,所述第二光刻膠部分保留區域的光刻膠厚度大于所述第一光刻膠部分保留區域的光刻膠厚度,所述第二光刻膠部分保留區域對應所述第二過孔,所述光刻膠完全保留區域對應所述第三過孔,所述光刻膠去除區域對應所述顯示區的所述透明導電層的待去除部分,所述第一光刻膠部分保留區域為除所述光刻膠完全保留區域、所述第二光刻膠部分保留區域和所述光刻膠去除區域之外的區域;
對光刻膠去除區域的所述絕緣層進行不完全刻蝕;
灰化掉第一光刻膠部分保留區域的光刻膠;
對未被光刻膠覆蓋的所述絕緣層進行不完全刻蝕;
灰化掉第二光刻膠部分保留區域的光刻膠;
刻蝕掉第一光刻膠部分保留區域和第二光刻膠部分保留區域的所述絕緣層,刻蝕掉光刻膠去除區域的所述透明導電層;
剝離光刻膠完全保留區域的光刻膠,形成位于所述第二過孔和所述第三過孔內的絕緣圖形以及所述透明導電層的圖形。
6.一種顯示基板,其特征在于,采用如權利要求1-5中任一項所述的制作方法制作得到。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板表面的過孔的深度不大于預設閾值。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求6或7所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





