[發(fā)明專利]一種雙柵MOSFET結構在審

申請?zhí)枺?/td>	201810398766.8	申請日：	2018-04-28
公開（公告）號：	CN108767011A	公開（公告）日：	2018-11-06
發(fā)明（設計）人：	郭宇鋒;張茂林;童祎;陳靜;李曼	申請（專利權）人：	南京郵電大學;南京郵電大學南通研究院有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L29/10
代理公司：	南京蘇科專利代理有限責任公司 32102	代理人：	姚姣陽
地址：	210003 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	溝道區(qū) 柵氧層漏區(qū) 源區(qū) 下表面側邊雙柵覆蓋電流驅動能力短溝道效應電場工藝步驟器件結構雙柵結構上表面有效地漸變減小漏極源極兼容
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【權利要求書】：

1.一種雙柵MOSFET結構，其特征在于，包括：呈漸變厚度的溝道區(qū)，所述溝道區(qū)的厚度小的一側設有源區(qū)，其厚度大的一側設有漏區(qū)，所述源區(qū)遠離溝道區(qū)的側邊設有源極，所述漏區(qū)遠離溝道區(qū)的側邊設有漏極；相連的所述溝道區(qū)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)的上、下表面分別覆蓋第一柵氧層和第二柵氧層，所述第一柵氧層覆蓋所述溝道區(qū)的部分的上表面設有第一柵極，所述第二柵氧層覆蓋所述溝道區(qū)的部分的下表面設有第二柵極，所述第一柵極和所述第二柵極構成雙柵結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種雙柵MOSFET結構，其特征在于，所述溝道區(qū)的上、下兩表面的延長面必會相交。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種雙柵MOSFET結構，其特征在于，所述溝道區(qū)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)的材料為硅或鍺、鍺硅、砷化鎵、氮化鎵。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種雙柵MOSFET結構，其特征在于，所述溝道區(qū)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)的摻雜類型為P型或N型。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種雙柵MOSFET結構，其特征在于，所述第一柵氧層和所述第二柵氧層的材料為氧化物或氮化物的絕緣材料。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種雙柵MOSFET結構，其特征在于，所述源極、所述漏極、所述第一柵極和所述第二柵極的材料為多晶硅或金屬。

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