[發(fā)明專利]扇出型半導體封裝模塊及其制造方法

有效

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• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN109727965B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設計）人: 金暎阿;金恩實;高永寬;黑柳秋久;金鎮(zhèn)洙;明俊佑
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;孫麗妍

1.一種扇出型半導體封裝模塊，包括：

芯構件，具有彼此分開的第一通孔和第二通孔；

半導體芯片，位于所述第一通孔中，并且包括具有連接焊盤的有效表面和與所述有效表面背對的無效表面；

第一無源組件，位于所述第二通孔中；

第一包封件，覆蓋所述芯構件和所述第一無源組件的每個的至少部分，并且填充所述第二通孔的至少部分；

增強構件，位于所述第一包封件上，并且具有暴露所述半導體芯片的所述無效表面的至少部分的開口；

第二包封件，覆蓋所述半導體芯片的至少部分，并且填充所述第一通孔和所述開口的每個的至少部分；及

連接構件，位于所述芯構件、所述半導體芯片的所述有效表面和所述第一無源組件上，并且包括電連接到所述連接焊盤和所述第一無源組件的重新分布層。

2.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，還包括：

第二無源組件，設置在所述第一通孔中，所述第二無源組件和所述半導體芯片并排設置；

其中，所述第二包封件覆蓋所述第二無源組件的至少部分，并且

所述第二無源組件電連接到所述重新分布層。

3.根據權利要求2所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述第二無源組件的厚度大于所述第一無源組件的厚度。

4.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述半導體芯片的厚度大于所述芯構件的厚度。

5.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述第一通孔穿過所述第一包封件和所述增強構件。

6.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述第二包封件覆蓋所述增強構件的至少部分。

7.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述第二包封件的上表面位于所述第一包封件的上表面的上方。

8.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述增強構件的彈性模量大于所述第一包封件的彈性模量。

9.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述增強構件包括玻璃纖維、無機填料和絕緣樹脂。

10.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述增強構件的至少一個表面上設置有金屬圖案。

11.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝模塊，還包括：

金屬層，位于所述第二通孔的壁上。

12.根據權利要求11所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述第一通孔的壁與所述第二包封件物理地接觸。

13.根據權利要求2所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述半導體芯片、所述第二無源組件和所述第一無源組件并排設置，并且通過所述連接構件的所述重新分布層彼此電連接。

14.根據權利要求13所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述連接構件還包括過孔，所述過孔將所述連接焊盤、所述第二無源組件和所述第一無源組件中的每個連接到所述重新分布層，并且

所述連接焊盤、所述第二無源組件和所述第一無源組件中的每個與所述過孔物理地接觸。

15.根據權利要求2所述的扇出型半導體封裝模塊，其中，所述半導體芯片包括電源管理集成電路，并且

所述第二無源組件和所述第一無源組件中的每個包括電容器。