[發明專利]離子注入跑片裝置及離子注入跑片方法

在審

• 申請號: 201810398127.1
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108766916A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 錢鋒;宋銀海;賈銀海;姚飛;宋經緯;廖運華
• 申請（專利權）人: 東莞帕薩電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 舒丁

本發明公開了離子注入跑片裝置及離子注入跑片方法。該離子注入跑片裝置包括水平進出傳送區、垂直輸送緩沖區、單個水平傳送區及垂直輸送儲存區。離子注入跑片方法包括如下步驟：將硅片置于拖盤上隔板的下方，其中一排離子注入孔正對硅片的第一位置；將托盤運送至一真空腔中，在真空腔中運送托盤至第一離子處；將第一離子通過隔板的第一排離子注入孔注入至硅片的第一位置；隔板相對所述托盤移動位置，以使第二排離子注入孔正對硅片的第二位置；將第二離子通過隔板的第二排離子注入孔注入至硅片的第二位置；將托盤移出所述真空腔。本發明所述離子注入跑片裝置，離子注入方便、快速、成本低、制作的硅片質量好。

技術領域

本發明涉及硅太陽能電池制備技術領域，具體涉及離子注入跑片裝置及離子注入跑片方法。

背景技術

硅太陽能電池在被暴露至來自太陽的太陽輻射時產生電能。該輻射與硅原子交互作用并形成電子和空穴，所述電子和空穴遷移到硅本體中的p離子摻雜區和n離子摻雜區，并在摻雜區之間產生電壓差和電流。取決于用途，太陽能電池已經與集中元件集成以提高效率。太陽輻射使用將所述輻射引導至活性光伏材料的一個或更多部分的集中元件來積累和聚焦。盡管有效，但是這些太陽能電池仍有很多限制。

僅僅作為一個實例，太陽能電池依賴諸如硅的起始材料。這種硅通常使用多晶硅(即多晶體的硅)和/或多晶硅材料制成。這些材料通常難以制造。多晶硅電池通常通過制造多晶硅板來形成。盡管這些板可以有效地形成，但是它們不具備高效太陽能電池的最佳性能。單晶硅具有高級太陽能電池的適當性能。然而，這種單晶硅價格昂貴，還難以按照高效且成本有效的方式用于太陽能用途。此外，多晶硅材料和單晶硅材料在傳統制造過程中均遭受稱為“刮線損失的材料損失，其中，出于鑄件或生長晶錠并將材料單片化成晶片形式的因素，鋸割工藝消除起始材料的多達40％甚至達到60％。這是制備用作太陽能電池的薄多晶硅或單晶硅板的非常低效的方法。

通常，薄膜太陽能電池通過使用較少的硅材料是價格較不昂貴的，但是它們的非晶或多晶結構與由多晶磕襯底制成的更昂貴的體硅相比效率較低。

發明內容

基于此，本發明有必要提供一種離子注入方便、快速、成本低、制作的硅片質量好的離子注入跑片裝置。

本發明還提供一種離子注入跑片方法。

為了實現本發明的目的，本發明采用以下技術方案：

一種離子注入跑片裝置，其包括：

水平進出傳送區，所述水平進出傳送區用于水平運送裝載硅片的托盤，所述托盤設有若干平行設置的滑軌及一隔板，所述隔板滑動連接若干所述滑軌以沿所述滑軌移動，所述隔板上開設有兩排離子注入孔，兩排所述離子注入孔的位置相互交叉錯開，所述隔板的寬度小于所述托盤的寬度，所述硅片設于所述托盤上所述隔板的下方；初始時所述隔板的第一排所述離子注入孔對應所述硅片的第一位置；垂直輸送緩沖區，所述垂直輸送緩沖區連通所述水平進出傳送區，所述垂直輸送緩沖區用于垂直向上或向下運送所述托盤；

單個水平傳送區，所述單個水平傳送區連通所述垂直輸送緩沖區，所述單個水平傳送區用于先后運送多個所述托盤；所述單個水平傳送區依次具有第一離子注入工位、切換硅片位置工位及第二離子注入工位，所述第一離子注入工位用于在所述硅片的第一位置注入第一離子，所述切換硅片位置工位用于移動所述隔板以使所述隔板的第二排所述離子注入孔對應所述硅片的第二位置，所述第二離子注入工位用于在所述硅片的第二位置注入第二離子，所述第二位置相異于所述第一位置；所述第一離子注入工位相對所述第二離子注入工位較靠近所述垂直輸送緩沖區；

垂直輸送儲存區，所述垂直輸送儲存區連通所述單個水平傳送區，用于垂直向上或向下運送所述托盤；

真空發生器，所述真空發生器用于對所述水平進出傳送區、垂直輸送緩沖區及垂直輸送儲存區抽真空。