[發(fā)明專利]離子注入跑片裝置及離子注入跑片方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810398127.1
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108766916A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢鋒;宋銀海;賈銀海;姚飛;宋經(jīng)緯;廖運(yùn)華
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞帕薩電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 舒丁

1.一種離子注入跑片裝置，其特征在于，包括：

水平進(jìn)出傳送區(qū)，所述水平進(jìn)出傳送區(qū)用于水平運(yùn)送裝載硅片的托盤，所述托盤設(shè)有若干平行設(shè)置的滑軌及一隔板，所述隔板滑動連接若干所述滑軌以沿所述滑軌移動，所述隔板上開設(shè)有兩排離子注入孔，兩排所述離子注入孔的位置相互交叉錯開，所述隔板的寬度小于所述托盤的寬度，所述硅片設(shè)于所述托盤上所述隔板的下方；初始時所述隔板的第一排所述離子注入孔對應(yīng)所述硅片的第一位置；垂直輸送緩沖區(qū)，所述垂直輸送緩沖區(qū)連通所述水平進(jìn)出傳送區(qū)，所述垂直輸送緩沖區(qū)用于垂直向上或向下運(yùn)送所述托盤；

單個水平傳送區(qū)，所述單個水平傳送區(qū)連通所述垂直輸送緩沖區(qū)，所述單個水平傳送區(qū)用于先后運(yùn)送多個所述托盤；所述單個水平傳送區(qū)依次具有第一離子注入工位、切換硅片位置工位及第二離子注入工位，所述第一離子注入工位用于在所述硅片的第一位置注入第一離子，所述切換硅片位置工位用于移動所述隔板以使所述隔板的第二排所述離子注入孔對應(yīng)所述硅片的第二位置，所述第二離子注入工位用于在所述硅片的第二位置注入第二離子，所述第二位置相異于所述第一位置；所述第一離子注入工位相對所述第二離子注入工位較靠近所述垂直輸送緩沖區(qū)；

垂直輸送儲存區(qū)，所述垂直輸送儲存區(qū)連通所述單個水平傳送區(qū)，用于垂直向上或向下運(yùn)送所述托盤；

真空發(fā)生器，所述真空發(fā)生器用于對所述水平進(jìn)出傳送區(qū)、垂直輸送緩沖區(qū)及垂直輸送儲存區(qū)抽真空。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述離子注入跑片裝置還包括一用于翻轉(zhuǎn)所述托盤上的所述硅片的硅片翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，所述單個水平傳送區(qū)還具有硅片翻轉(zhuǎn)工位及第三離子注入工位，所述第三離子注入工位用于將第三離子注入所述硅片具有所述第一離子與第二離子的一面相對的另一面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述硅片翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括運(yùn)轉(zhuǎn)基底與旋轉(zhuǎn)板，所述運(yùn)轉(zhuǎn)基底開設(shè)有對應(yīng)于所述旋轉(zhuǎn)板的基底空腔，所述旋轉(zhuǎn)板設(shè)有沿所述運(yùn)轉(zhuǎn)基底轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)板開設(shè)有旋轉(zhuǎn)板空腔，所述旋轉(zhuǎn)板具有第一面及與所述第一面相對的第二面；所述托盤包括上盤與下盤，所述上盤活動連接所述旋轉(zhuǎn)板并對應(yīng)所述旋轉(zhuǎn)板的第一面，所述下盤活動連接所述旋轉(zhuǎn)板并對應(yīng)所述旋轉(zhuǎn)板的第二面，所述上盤開設(shè)有上盤硅片腔，所述下盤開設(shè)有下盤硅片腔，所述上盤與所述下盤之間的間隙不小于所述硅片的厚度，所述硅片的邊緣夾設(shè)于所述上盤與所述下盤的邊緣，所述滑軌與所述隔板均設(shè)于所述上盤。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述單個水平傳送區(qū)具有兩組水平傳送帶，兩組所述水平傳送帶之間具有預(yù)設(shè)距離，所述運(yùn)轉(zhuǎn)基底的邊緣分別設(shè)于兩組所述水平傳送帶上，以使所述水平傳送帶帶動所述硅片翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)與所述硅片移動位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述運(yùn)轉(zhuǎn)基底上開設(shè)有多個相互隔離的所述基底空腔，每一所述基底空腔對應(yīng)一所述旋轉(zhuǎn)板，位于同一線上的多個所述旋轉(zhuǎn)板連接一所述轉(zhuǎn)軸。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)板的第一面對應(yīng)于所述旋轉(zhuǎn)板空腔的相對兩側(cè)分別開設(shè)有一第一卡槽，所述第一卡槽內(nèi)設(shè)有第一磁體；所述旋轉(zhuǎn)板的第二面對應(yīng)于所述旋轉(zhuǎn)板空腔的相對兩側(cè)分別開設(shè)有一第二卡槽，所述第二卡槽內(nèi)設(shè)有第二磁體；所述上盤對應(yīng)所述第一卡槽的位置設(shè)有一第一卡凸，所述下盤對應(yīng)所述第二卡槽的位置設(shè)有一第二卡凸，所述第一卡凸與所述第二卡凸均由磁性材料制成，所述第一卡凸位于所述第一卡槽內(nèi)并相互磁性連接，所述第二卡凸位于所述第二卡槽內(nèi)并相互磁性連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述上盤的中部設(shè)有第一凸起部，所述下盤的中部設(shè)有第二凸起部，所述上盤與所述下盤活動連接所述旋轉(zhuǎn)板后，所述第一凸起部與所述第二凸起部嵌入所述旋轉(zhuǎn)板空腔內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入跑片裝置，其特征在于：所述硅片翻轉(zhuǎn)工位位于所述第二離子注入工位與所述垂直輸送儲存區(qū)之間，所述第三離子注入工位位于所述硅片翻轉(zhuǎn)工位與所述垂直輸送儲存區(qū)之間。