[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810397455.X
• 申請(qǐng)日: 2018-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110416182B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江明崇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/525
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/525;H01L23/62;H01L27/112;H01L21/60
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底具有一第一區(qū)及相鄰于該第一區(qū)的一第二區(qū)；

形成一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基底的該第一區(qū)上及一熔絲結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基底的該第二區(qū)上；

形成一第一導(dǎo)電墊于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上，該第一導(dǎo)電墊電連接至該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；

形成一第二導(dǎo)電墊于該第一區(qū)上，使得該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊之間具有一溝槽；

沉積一覆蓋層覆蓋該第一導(dǎo)電墊及該熔絲結(jié)構(gòu)；

沉積一刻蝕停止層以覆蓋該覆蓋層；

沉積第一介電層前，進(jìn)行一第一刻蝕制程，移除該第一區(qū)上的該刻蝕停止層，以露出該第一區(qū)的該覆蓋層，其中實(shí)施該第一刻蝕制程包括移除位于該溝槽內(nèi)的該刻蝕停止層；

沉積一第一介電層覆蓋該刻蝕停止層；以及

進(jìn)行一第二刻蝕制程，移除該第一介電層、該刻蝕停止層及該覆蓋層，在該第一區(qū)形成一第一開(kāi)口露出該第一導(dǎo)電墊，及在該第二區(qū)形成一第二開(kāi)口于該熔絲結(jié)構(gòu)的正上方，其中在進(jìn)行該第二刻蝕制程的期間，該第一介電層具有一第一刻蝕速率，該刻蝕停止層具有一第二刻蝕速率，其中該第一刻蝕速率大于該第二刻蝕速率。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該覆蓋層包括氧化硅，且該刻蝕停止層包括氮化硅或氧化鋁。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

在形成該第一導(dǎo)電墊前，沉積一第二介電層覆蓋該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及該熔絲結(jié)構(gòu)，且在進(jìn)行該第二刻蝕制程時(shí)，移除位于該第二區(qū)上的一部份的該第二介電層。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進(jìn)行該第二刻蝕制程的期間，該覆蓋層具有一第三刻蝕速率，其中該第三刻蝕速率大于該第二刻蝕速率。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，更包括：

形成一阻障層于該第一導(dǎo)電墊上，在進(jìn)行該第二刻蝕制程的期間，該阻障層具有一第四刻蝕速率，其中該第三刻蝕速率大于該第四刻蝕速率。

6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底具有一第一區(qū)及相鄰于該第一區(qū)的一第二區(qū)；

一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及一熔絲結(jié)構(gòu)，個(gè)別設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第一區(qū)及該第二區(qū)上；

一第一介電層，覆蓋該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及該熔絲結(jié)構(gòu)；

一第一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上，該第一導(dǎo)電墊電連接至該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；

一第二導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一區(qū)及該第一介電層上；

一溝槽，位于該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊之間；

一覆蓋層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第一區(qū)及該第二區(qū)上，且該覆蓋層覆蓋該第一導(dǎo)電墊的一側(cè)壁；

一刻蝕停止層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第二區(qū)上，且該刻蝕停止層覆蓋該覆蓋層；

一第二介電層，設(shè)置于該刻蝕停止層及該覆蓋層上；以及

一第一開(kāi)口，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第二區(qū)及該熔絲結(jié)構(gòu)上，且該第一開(kāi)口移除該第二介電層、該刻蝕停止層、該覆蓋層及一部份的該第一介電層；

其中，該溝槽內(nèi)不含有該刻蝕停止層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該覆蓋層包括氧化硅，且該刻蝕停止層包括氮化硅或氧化鋁。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該刻蝕停止層的厚度介于50nm至150nm的范圍間。