[發(fā)明專利]一種改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810394694.X
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN108550520A
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛廣杰;胡華;李赟
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L27/11521;H01L27/11568
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，適用于嵌入式閃存在淺槽圖形化的過程中，其特征在于，包括：

步驟S1、提供一半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底上依次覆蓋一氧化層、一氮化層；

步驟S2、于所述氮化層上依次沉積一第一硬掩膜層、一第二硬掩膜層，于所述第二硬掩膜層上旋涂一光刻膠層；

步驟S3、圖形化所述光刻膠層，以打開用以形成淺槽的工藝窗口；

步驟S4、修復(fù)所述光刻膠層上所述工藝窗口側(cè)壁不平整的區(qū)域；

步驟S5、以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述第二硬掩膜層，以于所述第二硬掩膜層中形成暴露所述第一硬掩膜層的溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層材質(zhì)為有機硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層為有機介電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，于所述步驟S4中，修復(fù)光刻膠上工藝窗口側(cè)壁不平整的區(qū)域的方法為：

步驟S41、于550-650W功率解離通入的氬氣以獲得氬等離子體；

步驟S42、于0-5W偏壓功率下，以所述氬等離子體于各向同性條件下刻蝕所述光刻膠層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，于所述步驟S5中，于一偏壓功率下，通入一CH_XF_Y氣體對所述第二硬掩膜層進行刻蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述偏壓功率維持在70-110W。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的材料為單晶硅；和/或

所述氧化層的材料為氧化硅；和/或

所述氮化層的材料為氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的厚度為100-200nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層的厚度為30-40nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善存儲區(qū)淺槽線平整度的方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度為100-150nm。