[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201810393792.1
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN108807124B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 依田悠;田中誠治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供一種基板處理裝置。用含鹵氣體對基板(G)的金屬膜進行等離子體蝕刻的基板處理裝置(1)具有設置在處理容器(2)內的呈環狀的氣流引導部件(40)，在其內周部分具有在基板載置臺(3)的周緣的上方沿該基板載置臺(3)的周向配置的用于將從噴淋頭(10)導入的處理氣體引導到外方的引導部(40?1)，其外周部分安裝在處理容器(2)的內壁。氣流引導部件(40)具有在比基板載置臺(3)靠外側的部分沿其周向設置的縫隙(41)。由此，在對基板的金屬膜進行等離子體蝕刻處理時，能夠獲得進一步的處理的面內均勻性，且能夠抑制顆粒向被處理基板的附著。

技術領域

本發明涉及對被處理基板進行等離子體處理的基板處理裝置。

背景技術

在液晶顯示器(LCD)所代表的平板顯示器(FPD)的制造過程中，具有在真空下使用等離子體對形成在玻璃基板上的規定的膜進行蝕刻的等離子體蝕刻處理。

作為對這樣的在玻璃基板形成有規定的膜的被處理基板進行等離子體蝕刻處理的基板處理裝置，在可保持為真空的腔室內配置作為下部電極發揮作用的基板載置臺和與該載置臺相對的作為上部電極發揮作用的氣體導入用的噴淋頭，下部電極與施加高頻電力的高頻電源連接，對腔室內進行真空排氣，經由噴淋頭向腔室內導入處理氣體，并且對載置臺施加高頻電力，利用由此形成的處理氣體的等離子體對存在于被處理基板的規定的膜進行蝕刻。

但是，在這樣的基板處理裝置中，雖然具有對例如鋁(Al)膜或Ti/Al/Ti層疊膜那樣的含Al膜等的金屬膜，使用例如氯(Cl₂)氣體那樣的含鹵氣體作為處理氣體來進行蝕刻的工序，但是，此時由于處理氣體的供給量與蝕刻量成比例，因此由于刻蝕負載效應而發生基板的外周部的蝕刻率變得比中央部的蝕刻率高出非常多的現象。即，從等離子體中的蝕刻種(例如氯自由基)來看時，在基板的最外周區域中單位量的蝕刻種要蝕刻的基板面積是中央區域的大約一半，以與向中央區域供給的流量相同的流量向最外周區域供給處理氣體時，計算上，最外周區域的蝕刻率為中央區域的蝕刻率的大約2倍。

因此，提出了以圍繞載置臺上的基板的周圍的方式設置整流壁，由此來遮斷從被處理基板的外周區域附近向基板外周去的處理氣體的流動，減少向基板的最外周區域供給的蝕刻種的量，提高基板面內的處理的均勻性的技術(專利文獻1、2)。

另一方面，也提出了在載置臺的周緣部的上方沿該載置臺的周向設置用于在與周緣部之間將氣流引導到外方的氣流引導部件，來控制氣流，由此抑制刻蝕負載效應以提高基板面內的處理的均勻性的技術(專利文獻3)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-243364號公報

專利文獻2：日本特開2000-315676號公報

專利文獻3：日本特開2009-212482號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

但是，上述專利文獻1、2記載的整流壁妨礙基板的搬入搬出，因此，為了在玻璃基板的搬入搬出時不妨礙搬入搬出，需要使其向上方退避，此時，存在附著于整流部件的堆積物等剝落而成為顆粒落下到被處理基板，將處理基板污染的問題。

另外，專利文獻3記載的氣流引導部件在其上容易附著伴隨蝕刻的生成物和/或蝕刻氣體的反應副生成物的堆積物(以下記載為沉積物)，最后同樣有可能使顆粒附著于被處理基板。另外，通過專利文獻3的氣流引導部件，能夠一定程度降低因刻蝕負載效應引起的外周部的處理的不均勻，但是近來期望能夠實現進一步的處理的面內均勻性。

因此，本發明的技術問題在于提供一種在對基板的金屬膜進行等離子體蝕刻處理時，能夠進一步獲得處理的面內均勻性并且抑制顆粒向被處理基板附著的基板處理裝置。

用于解決技術問題的技術方案