[發(fā)明專利]基板處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810393792.1
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN108807124B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 依田悠;田中誠治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

用于收納表面形成有金屬膜的基板的處理容器；

設置于所述處理容器內的用于載置基板的基板載置臺；

處理氣體導入機構，其與所述基板載置臺相對地設置在所述處理容器內的所述基板載置臺的上方，在所述處理容器內向所述基板載置臺導入包含有含鹵氣體的處理氣體；

從所述基板載置臺的周圍進行所述處理容器內的排氣的排氣機構；

設置在所述處理容器內的呈環(huán)狀的氣流引導部件，其中，在所述氣流引導部件的內周部分具有在所述基板載置臺的周緣的上方沿著該基板載置臺的周向配置的用于將從所述處理氣體導入機構導入的處理氣體引導到外方的引導部，所述氣流引導部件的外周部分安裝在所述處理容器的內壁；和

等離子體生成機構，其生成用于在所述處理容器內對所述基板的所述金屬膜進行等離子體蝕刻的處理氣體的等離子體，

所述氣流引導部件具有縫隙，所述縫隙沿著所述基板載置臺的周向設置在所述氣流引導部件的比所述基板載置臺靠外側的部分，

通過調整所述縫隙的寬度和所述氣流引導部件的自所述基板載置臺的上表面起的高度中的一者或兩者，能夠調整經(jīng)所述縫隙的排氣和經(jīng)所述氣流引導部件與所述基板載置臺之間的排氣的排氣平衡，對所述處理氣體進行排氣。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述基板為矩形，所述基板載置臺的載置面為與所述基板對應的矩形，所述氣流引導部件為畫框狀。

3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述氣流引導部件具有成為所述引導部的內側部和比所述基板載置臺靠外側的外側部，在所述內側部與所述外側部之間形成有使所述外側部成為較低位置的臺階。

4.如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述縫隙形成在所述外側部。

5.如權利要求3或4所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述氣流引導部件通過將與所述基板的長邊對應的一對長邊側部分和與所述基板的短邊對應的一對短邊側部分組裝而形成。

6.如權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述長邊側部分和所述短邊側部分通過將任一個板折彎而形成與所述內側部對應的部分、與所述外側部對應的部分和與所述臺階對應的部分。

7.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述長邊側部分和所述短邊側部分，以它們的接合部為45°的梯形，且各自的與所述內側部對應的部分、與所述外側部對應的部分和與所述臺階對應的部分接合在一起的狀態(tài)被組裝。

8.如權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于：

形成在所述長邊側部分的所述縫隙和形成在所述短邊側部分的所述縫隙，是以它們的端部沒有到達所述長邊側部分與所述短邊側部分的接合部的狀態(tài)形成的。

9.如權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述縫隙的寬度為能夠用來調整所述排氣平衡，以使得所述基板的周緣部的蝕刻率的抑制程度最優(yōu)的值。

10.如權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述金屬膜是含Al膜，所述處理氣體包含氯氣。

11.如權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述含Al膜是Ti/Al/Ti層疊膜。