[發明專利]一種自舉電路有效
| 申請號： | 201810392645.2 | 申請日： | 2018-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN108599751B | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發明（設計）人： | 劉建偉;陳凱讓;胡剛毅;李儒章;王健安;陳光炳;王育新;付東兵;張正平 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275 | 代理人： | 趙榮之 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種自舉電路，其特征在于：該自舉電路包括反相器INV31、INV32，PMOS管M31、M32、M33，NMOS管M34以及電容C31、C32；
所述反相器INV31的輸入端為自舉電路的輸入端，所述反相器INV31的輸出端連接至反相器INV32的輸入端和電容C31的一端，電容C31的另一端連接至PMOS管M31的漏極；
所述PMOS管M31的柵極連接至反相器INV31的輸入端，源極連接至VDD，所述PMOS管M31的漏極還連接至PMOS管M33的柵極；
所述PMOS管M33的源極連接至PMOS管M32的漏極和電容C32的一端，所述電容C32的另一端連接至反相器INV32的輸出端和NMOS管M34的源極，所述PMOS管M32的源極連接至VDD；
所述NMOS管M34的漏極與PMOS管M33的漏極相互連接之后作為自舉電路的輸出端；
還包含電容Cp3和電容Cp4；
所述電容Cp3的一端連接至所述PMOS管M31的漏極，另一端接地；
所述電容Cp4的一端連接至所述PMOS管M32的漏極，另一端接地。
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