[發(fā)明專利]具有鈍化層的半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810385657.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110416204B | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 鈍化 半導(dǎo)體器件 | ||
本發(fā)明公開了一種具有鈍化層的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體本體，其包括第一表面；所述第一表面上設(shè)置有接觸電極，所述接觸電極至少包括2層，所述接觸電極層堆疊，第一接觸電極設(shè)置于所述第一表面，所述第一表面上鄰近接觸電極設(shè)置有層間介質(zhì)層和鈍化層，所述層間介質(zhì)層包括在第一表面上的氮化物層、及所述氮化物層上的氧化物層，所述鈍化層在氧化物層上，所述氧化物層的下表面延伸至第一接觸電極的上表面下方，其上表面延伸至最上層接觸電極的下表面上方。可以提供化學(xué)和機(jī)械方面的保護(hù)，以及防止尤其可能在脆的材料層被彎曲的那些區(qū)內(nèi)發(fā)生的機(jī)械缺陷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有鈍化層的半導(dǎo)體器件，尤其適用于GaN、GaAs、LDMOS等放大器。
背景技術(shù)
在典型集成電路（IC）形成工藝中，在完成金屬化之后，形成一個(gè)鈍化層或多個(gè)鈍化層來(lái)保護(hù)內(nèi)部半導(dǎo)體器件。鈍化層通常通過(guò)沉積氧化物層和氮化物層來(lái)形成。在一些實(shí)例中，通過(guò)執(zhí)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積（PECVD）來(lái)形成氧化物層和氮化物層。
然而，傳統(tǒng)鈍化層具有多個(gè)缺點(diǎn)。由于半導(dǎo)體器件的高集成趨勢(shì)，金屬化層之間的距離減小。由于它們的階梯覆蓋的部件，導(dǎo)致PECVD氧化物層和PECVD氮化物層不能充分地填充金屬化層之間的間隙中，從而形成空隙。空隙將減弱對(duì)下層半導(dǎo)體器件的機(jī)械保護(hù)。一些污染物或濕氣可能穿過(guò)半導(dǎo)體器件。而且，半導(dǎo)體器件的電子性能將負(fù)面地受到影響。從而，整個(gè)組件的故障率可能增加。本發(fā)明因此而來(lái)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明目的在于提供一種具有鈍化層的半導(dǎo)體器件，可以提供化學(xué)和機(jī)械方面的保護(hù)，以及防止尤其可能在脆的材料層被彎曲的那些區(qū)內(nèi)發(fā)生的機(jī)械缺陷。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的這些問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：
一種具有鈍化層的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體本體，其包括第一表面；所述第一表面上設(shè)置有接觸電極，所述接觸電極至少包括2層，所述接觸電極的上端包括肩部，第一接觸電極設(shè)置于所述第一表面，所述第一表面上鄰近接觸電極設(shè)置有層間介質(zhì)層和鈍化層，所述層間介質(zhì)層包括在第一表面上的氮化物層、及所述氮化物層上的氧化物層，所述鈍化層在氧化物層上，所述鈍化層包括外層的氮化物層，所述氧化物層延伸至第一接觸電極的肩部下表面，其上表面延伸至最上層接觸電極的肩部下表面。
優(yōu)選的技術(shù)方案中，所述氧化物層包括多層。
優(yōu)選的技術(shù)方案中，所述氧化物層包括2層，第一氧化物層在氮化物層上，所述第一氧化物層的上表面延伸至第一接觸電極的肩部下表面，第二氧化物層在第一氧化物層上，所述第二氧化物層的上表面延伸至最上層接觸電極的肩部下表面。
優(yōu)選的技術(shù)方案中，所述氧化物層包括SiO2、PSG、BPSG及USG中的至少一種。
優(yōu)選的技術(shù)方案中，所述鈍化層覆蓋最上層接觸電極的上表面的一部分，所述鈍化層包括多層。
優(yōu)選的技術(shù)方案中，所述鈍化層包括2層，所述鈍化層包括在氧化物層上的第三氧化物層或者第二氮化物層，及設(shè)置在外層的第三氮化物層。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的方案，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：
本發(fā)明的鈍化層結(jié)構(gòu)可以提供化學(xué)和機(jī)械方面的保護(hù)，以及防止尤其可能在脆的材料層被彎曲的那些區(qū)內(nèi)發(fā)生的機(jī)械缺陷。可減少電極間的寄生電容，在功率器件的實(shí)例中使用本發(fā)明結(jié)構(gòu)比層間介質(zhì)層使用氮化物的結(jié)構(gòu)寄生電容Cds可減少約30%，Cgs可減少約15%。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述：
圖1為本發(fā)明具有鈍化層的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
