[發明專利]具有鈍化層的半導體器件有效

申請號：	201810385657.2	申請日：	2018-04-26
公開（公告）號：	CN110416204B	公開（公告）日：	2021-10-29
發明（設計）人：	馬強	申請（專利權）人：	蘇州遠創達科技有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02
代理公司：	蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103	代理人：	范晴;丁浩秋
地址：	215123 江蘇省蘇州市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有鈍化半導體器件
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【權利要求書】：

1.一種具有鈍化層的半導體器件，包括半導體本體，其包括第一表面；所述第一表面上設置有接觸電極，其特征在于，所述接觸電極至少包括第一接觸電極和最上層接觸電極，所述接觸電極的上端包括肩部，第一接觸電極設置于所述第一表面，所述第一表面上鄰近接觸電極設置有層間介質層和鈍化層，所述層間介質層包括在第一表面上的氮化物層、及所述氮化物層上的氧化物層，所述鈍化層在氧化物層上，所述鈍化層包括外層的氮化物層，所述氧化物層延伸至第一接觸電極的肩部下表面，其上表面延伸至最上層接觸電極的肩部下表面。

2.根據權利要求1所述的具有鈍化層的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層包括多層。

3.根據權利要求2所述的具有鈍化層的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層包括2層，第一氧化物層在氮化物層上，所述第一氧化物層的上表面延伸至第一接觸電極的肩部下表面，第二氧化物層在第一氧化物層上，所述第二氧化物層的上表面延伸至最上層接觸電極的肩部下表面。

4.根據權利要求1所述的具有鈍化層的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層包括SiO₂、PSG、BPSG及USG中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的具有鈍化層的半導體器件，其特征在于，所述鈍化層覆蓋最上層接觸電極的上表面的一部分，所述鈍化層包括多層。

6.根據權利要求5所述的具有鈍化層的半導體器件，其特征在于，所述鈍化層包括2層，所述鈍化層包括在氧化物層上的第三氧化物層或者第二氮化物層，及設置在外層的第三氮化物層。

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