[發明專利]一種光電轉換器件封裝結構在審
| 申請號: | 201810385348.5 | 申請日: | 2018-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN108389924A | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發明(設計)人: | 黃敏艷 | 申請(專利權)人: | 海門市品格工業設計有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/052;B32B3/24;B32B3/08;B32B25/12;B32B25/08;B32B25/04;B32B27/30;B32B27/08;B32B7/10;B32B27/36;B32B27/06 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換器件 封裝膠層 封裝結構 金屬板 導熱 封裝背板 光伏電池 光電轉換效率 水汽阻隔性能 鋼化玻璃板 抗震性能 散熱性能 輸出功率 彈性柱 金屬塊 上表面 下表面 衰減 | ||
本發明提供一種光電轉換器件封裝結構,所述光電轉換器件封裝結構包括封裝背板、第一導熱封裝膠層、第二封裝膠層、多個光伏電池、第三封裝膠層以及鋼化玻璃板,所述封裝背板包括一金屬板,所述金屬板的上表面具有多個導熱彈性柱,所述金屬板的下表面具有多個金屬塊,使得其具有優異的散熱性能、抗震性能以及水汽阻隔性能,確保光伏電池的光電轉換效率不衰減,確保其輸出功率穩定,適于長期使用。
技術領域
本發明涉及光伏技術領域,特別是涉及一種光電轉換器件封裝結構。
背景技術
隨著科技的發展和進步,對能源的需求也急劇增加,其中常用的能源來自化石能源石油、煤炭和天然氣。由于石化能源總儲藏量有限,且為不可再生能源,因而全球面臨著嚴峻的能源形勢,使得人們對風能、地熱、太陽能等新興可再生能源的探索日益迫切。其中,太陽能作為一種取之不盡,用之不竭的綠色可再生能源逐漸受到人們的廣泛關注,太陽能電池相關技術也日益蓬勃發展。光伏背板位于光伏組件背面的最外層,在室外環境下保護光伏電池片不受潮氣和氧氣的影響。現有的光伏背板分為兩種:一種為涂膠復合式背板膜,在PET聚酯薄膜兩面復合氟膜或者EVA膠膜,三層結構,常見的有TPT、TPE、KPK等結構;另一種為涂覆背板膜,在PET聚酯薄膜兩面涂覆氟樹脂,經干燥固化成膜。光伏組件的溫度升高將嚴重影響電池片的光電轉換效率,導致電池片的效率大幅度下降,所以光伏背板散熱性能和穩固性的優劣將影響光伏電池片的轉換效率和使用壽命。
發明內容
本發明的目的是克服上述現有技術的不足,提供一種光電轉換器件封裝結構。
為實現上述目的,本發明提出的一種光電轉換器件封裝結構,所述光電轉換器件封裝結構包括:
封裝背板,所述封裝背板包括金屬板,在所述金屬板的上表面粘結有聚對苯二甲酸乙二醇酯層,所述聚對苯二甲酸乙二醇酯層的上表面粘結有第一含氟聚合物層,所述第一含氟聚合物層的上表面設置有乙烯-醋酸乙烯共聚物層,在所述金屬板的上表面設置有多個貫穿所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層、所述第一含氟聚合物層以及所述聚對苯二甲酸乙二醇酯層的通孔,多個所述通孔均暴露所述金屬板的上表面,每個所述通孔中均嵌入一個導熱彈性柱,所述導熱彈性柱的上端部裸露于所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層,所述導熱彈性柱的底面與所述金屬板接觸,所述導熱彈性柱包括金屬柱,所述金屬柱的側表面設置有硅橡膠層,所述硅橡膠層的表面設置有EVA粘結層,在所述金屬板的下表面粘結有天然橡膠層,所述天然橡膠層的下表面粘結有聚萘二甲酸乙二醇酯層,所述聚萘二甲酸乙二醇酯層的下表面粘結有第二含氟聚合物層,在所述金屬板的下表面設置有多個貫穿所述第二含氟聚合物層、所述聚萘二甲酸乙二醇酯層以及所述天然橡膠層的矩形開口,多個所述矩形開口平行排列且暴露所述金屬板的下表面,每個所述矩形開口中均嵌入一個金屬塊,所述金屬塊的頂表面與所述金屬板的下表面接觸,所述金屬塊的底表面與所述第二含氟聚合物層的下表面齊平;
第一導熱封裝膠層,所述第一導熱封裝膠層覆蓋所述封裝背板,所述導熱彈性柱中裸露于所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層的上端部嵌入到所述第一導熱封裝膠層中;
第二封裝膠層,所述第二封裝膠層覆蓋所述第一導熱封裝膠層;
多個光伏電池鋪設在所述第二封裝膠層上;
第三封裝膠層,所述第三封裝膠層覆蓋所述光伏電池和所述第二封裝膠層;
鋼化玻璃板,所述鋼化玻璃板設置于所述第三封裝膠層之上。
如上光電轉換器件封裝結構,進一步,所述金屬板的材質為鋁、銅、鐵以及鋁鎂合金中的一種,所述金屬板的厚度為200-500微米,所述聚對苯二甲酸乙二醇酯層的厚度為1-3毫米,所述第一含氟聚合物層的厚度為200-500微米,所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層的厚度為100-150微米。
如上光電轉換器件封裝結構,進一步,所述金屬柱的材質為鋁或銅,所述金屬柱的直徑為5-10毫米,所述硅橡膠層的厚度為5-10毫米,所述EVA粘結層的厚度為50-100微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





