[發明專利]一種光電轉換器件封裝結構在審
| 申請號: | 201810385348.5 | 申請日: | 2018-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN108389924A | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發明(設計)人: | 黃敏艷 | 申請(專利權)人: | 海門市品格工業設計有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/052;B32B3/24;B32B3/08;B32B25/12;B32B25/08;B32B25/04;B32B27/30;B32B27/08;B32B7/10;B32B27/36;B32B27/06 |
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| 地址: | 226100 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換器件 封裝膠層 封裝結構 金屬板 導熱 封裝背板 光伏電池 光電轉換效率 水汽阻隔性能 鋼化玻璃板 抗震性能 散熱性能 輸出功率 彈性柱 金屬塊 上表面 下表面 衰減 | ||
1.一種光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述光電轉換器件封裝結構包括:
封裝背板,所述封裝背板包括金屬板,在所述金屬板的上表面粘結有聚對苯二甲酸乙二醇酯層,所述聚對苯二甲酸乙二醇酯層的上表面粘結有第一含氟聚合物層,所述第一含氟聚合物層的上表面設置有乙烯-醋酸乙烯共聚物層,在所述金屬板的上表面設置有多個貫穿所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層、所述第一含氟聚合物層以及所述聚對苯二甲酸乙二醇酯層的通孔,多個所述通孔均暴露所述金屬板的上表面,每個所述通孔中均嵌入一個導熱彈性柱,所述導熱彈性柱的上端部裸露于所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層,所述導熱彈性柱的底面與所述金屬板接觸,所述導熱彈性柱包括金屬柱,所述金屬柱的側表面設置有硅橡膠層,所述硅橡膠層的表面設置有EVA粘結層,在所述金屬板的下表面粘結有天然橡膠層,所述天然橡膠層的下表面粘結有聚萘二甲酸乙二醇酯層,所述聚萘二甲酸乙二醇酯層的下表面粘結有第二含氟聚合物層,在所述金屬板的下表面設置有多個貫穿所述第二含氟聚合物層、所述聚萘二甲酸乙二醇酯層以及所述天然橡膠層的矩形開口,多個所述矩形開口平行排列且暴露所述金屬板的下表面,每個所述矩形開口中均嵌入一個金屬塊,所述金屬塊的頂表面與所述金屬板的下表面接觸,所述金屬塊的底表面與所述第二含氟聚合物層的下表面齊平;
第一導熱封裝膠層,所述第一導熱封裝膠層覆蓋所述封裝背板,所述導熱彈性柱中裸露于所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層的上端部嵌入到所述第一導熱封裝膠層中;
第二封裝膠層,所述第二封裝膠層覆蓋所述第一導熱封裝膠層;
多個光伏電池鋪設在所述第二封裝膠層上;
第三封裝膠層,所述第三封裝膠層覆蓋所述光伏電池和所述第二封裝膠層;
鋼化玻璃板,所述鋼化玻璃板設置于所述第三封裝膠層之上。
2.根據權利要求1所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述金屬板的材質為鋁、銅、鐵以及鋁鎂合金中的一種,所述金屬板的厚度為200-500微米,所述聚對苯二甲酸乙二醇酯層的厚度為1-3毫米,所述第一含氟聚合物層的厚度為200-500微米,所述乙烯-醋酸乙烯共聚物層的厚度為100-150微米。
3.根據權利要求2所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述金屬柱的材質為鋁或銅,所述金屬柱的直徑為5-10毫米,所述硅橡膠層的厚度為5-10毫米,所述EVA粘結層的厚度為50-100微米。
4.根據權利要求1所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述天然橡膠層的厚度為1-3毫米,所述聚萘二甲酸乙二醇酯層的厚度為0.5-1毫米,所述第二含氟聚合物層的厚度為100-200微米,所述金屬塊的材質為鋁或銅,所述矩形開口的尺寸與所述金屬塊的尺寸相同。
5.根據權利要求1所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述第一導熱封裝膠層包括EVA樹脂以及導熱納米顆粒,所述導熱納米顆粒為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氧化鎂中的一種,所述導熱納米顆粒的粒徑為100-200納米,所述第二封裝膠層和所述第三封裝膠層的材質為EVA。
6.根據權利要求5所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:第一導熱封裝膠層的厚度為300-500微米,所述第二封裝膠層的厚度為50-150微米,所述第三封裝膠層的厚度為200-300微米,所述導熱彈性柱嵌入到所述第一導熱封裝膠層中的所述上端部的長度為150-400微米。
7.根據權利要求1所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述光伏電池為單晶硅光伏電池、多晶硅光伏電池或砷化鎵光伏電池。
8.根據權利要求1所述的光電轉換器件封裝結構,其特征在于:所述第一含氟聚合物層和所述第二含氟聚合物層的材質為聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、乙烯-三氟氯乙烯共聚物或乙烯-四氟乙烯共聚物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





