[發明專利]包括電阻器結構的半導體器件

在審

• 申請號: 201810383864.4
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN109119406A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 金太烈;羅炫旭;李書范;J.S.金;申忠桓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

襯底，其具有垂直于第一方向的上表面；

電阻器結構，其包括在所述襯底上的第一絕緣層、在所述第一絕緣層上的電阻器層和在所述電阻器層上的第二絕緣層；以及

電阻器接觸，其穿透所述第二絕緣層和所述電阻器層，

其中所述電阻器接觸的側壁相對于所述第一方向的傾斜角根據離所述襯底的高度而變化。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述電阻器接觸的所述側壁相對于所述第一方向的所述傾斜角在離所述襯底的第一高度和大于所述第一高度的第二高度處改變。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一高度小于所述電阻器層的上表面離所述襯底的高度。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第二高度大于所述電阻器層的下表面離所述襯底的高度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述電阻器接觸包括第一區域、第二區域和第三區域，所述第一區域具有相對于所述第一方向擁有第一傾斜角的側壁，所述第二區域位于所述第一區域上并且具有相對于所述第一方向擁有第二傾斜角的側壁，所述第三區域位于所述第二區域上并且具有相對于所述第一方向擁有第三傾斜角的側壁；以及

其中所述第一傾斜角小于所述第二傾斜角，并且所述第二傾斜角大于所述第三傾斜角。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中所述第一區域在所述第一方向上的長度小于所述第三區域在所述第一方向上的長度；以及

其中所述第二區域在所述第一方向上的長度小于所述第三區域在所述第一方向上的所述長度。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中所述第一區域接觸所述第一絕緣層；以及

其中所述第二區域接觸所述電阻器層；以及

其中所述第三區域接觸所述第二絕緣層。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一區域在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大寬度小于所述第三區域在所述第二方向上的最大寬度。

9.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一區域在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大寬度與所述第一區域在所述第二方向上的最小寬度之間的差值小于所述第二區域在所述第二方向上的最大寬度與所述第二區域在所述第二方向上的最小寬度之間的差值。

10.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第二區域在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大寬度與所述第二區域在所述第二方向上的最小寬度之間的差值大于所述第三區域在所述第二方向上的最大寬度與所述第三區域在所述第二方向上的最小寬度之間的差值。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述襯底與所述第一絕緣層之間的下部結構，其中所述電阻器接觸穿透所述第一絕緣層。

12.一種半導體器件，包括：

襯底，其具有垂直于第一方向的上表面并且具有晶體管區域和電阻器區域；

下部結構，其在所述電阻器區域和所述晶體管區域上；

電阻器結構，其位于所述下部結構在所述電阻器區域上的部分上，并且包括第一絕緣層、在所述第一絕緣層上的電阻器層和在所述電阻器層上的第二絕緣層；以及

電阻器接觸，其穿透所述第二絕緣層和所述電阻器層，

其中所述電阻器接觸的側壁相對于所述第一方向的傾斜角根據離所述襯底的高度而變化。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中所述下部結構在所述電阻器區域上的部分包括柵極結構和接觸所述柵極結構的側壁的下層間絕緣層。