[發明專利]包括電阻器結構的半導體器件

在審

• 申請號: 201810383864.4
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN109119406A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 金太烈;羅炫旭;李書范;J.S.金;申忠桓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

提供了一種包括電阻器結構的半導體器件，該半導體器件包括：襯底，其具有垂直于第一方向的上表面；電阻器結構，其包括在襯底上的第一絕緣層、在第一絕緣層上的電阻器層和在電阻器層上的第二絕緣層；以及電阻器接觸，其穿透第二絕緣層和電阻器層。電阻器接觸的側壁相對于第一方向的傾斜角根據離襯底的高度而變化。該半導體器件具有低的接觸電阻和窄的接觸電阻變化。

技術領域

本發明構思總體上涉及半導體器件，更具體地，涉及包括電阻器結構的半導體器件。

背景技術

半導體器件中包括的電阻器件的電阻器層可以通過接觸連接到金屬互連。因此，電阻器件的總電阻是電阻器層本身的電阻和接觸的電阻之和。為了半導體器件尺寸的減小，電阻器層通常需要被減薄。隨著電阻器層變得更薄，電阻器層與接觸之間的接觸面積減小。結果，接觸電阻增大并且接觸電阻的變化也增大。因此，需要減小電阻器件的接觸電阻和電阻器件的接觸電阻的變化。

發明內容

本發明構思的一些實施方式包括具有電阻器結構的半導體器件，該電阻器結構包括低的接觸電阻和窄的接觸電阻變化。

在另外的實施方式中，一種半導體器件包括：襯底，其具有垂直于第一方向的上表面；電阻器結構，其包括在襯底上的第一絕緣層、在第一絕緣層上的電阻器層和在電阻器層上的第二絕緣層；以及電阻器接觸，其穿透第二絕緣層和電阻器層。電阻器接觸的側壁相對于第一方向的傾斜角根據離襯底的高度而變化。

在本發明構思的另外的實施方式中，一種半導體器件包括：襯底，其具有垂直于第一方向的上表面并且具有晶體管區域和電阻器區域；下部結構，其在電阻器區域和晶體管區域上；電阻器結構，其位于下部結構在電阻器區域上的部分上，并且包括第一絕緣層、在第一絕緣層上的電阻器層和位于電阻器層上的第二絕緣層；以及電阻器接觸，其穿透第二絕緣層和電阻器層。電阻器接觸的側壁相對于第一方向的傾斜角根據離襯底的高度而變化。

在本發明構思的一些實施方式中，一種半導體器件包括：襯底，其具有垂直于第一方向的上表面并且具有晶體管區域和電阻器區域；下部結構，其在晶體管區域和電阻器區域上，并且包括多個柵極結構、填充所述多個柵極結構之間的空間的下層間絕緣層、在晶體管區域上在柵極結構下面的有源區域以及接觸有源區域的源極/漏極區域；電阻器結構，其位于下部結構在電阻器區域上的部分上，并且包括第一絕緣層、在第一絕緣層上的電阻器層和在電阻器層上的第二絕緣層；上層間絕緣層，其覆蓋電阻器結構和下部結構；電阻器接觸，其穿透上層間絕緣層、第二絕緣層和電阻器層；以及源極/漏極接觸，其穿過上層間絕緣層和下層間絕緣層接觸源極/漏極區域，其中電阻器接觸的側壁相對于第一方向的傾斜角根據離襯底的高度而變化。

附圖說明

本發明構思的實施方式將由以下結合附圖的詳細描述被更清楚地理解，附圖中：

圖1、圖2和圖3A分別是根據本發明構思的一些實施方式的半導體器件的透視圖、剖視圖和俯視圖。

圖3B和圖3C是根據本發明構思的一些實施方式的半導體器件的俯視圖。

圖4A、圖4B和圖4C是根據本發明構思的一些實施方式的半導體器件中包括的電阻器接觸的放大剖視圖。

圖5A、圖5B、圖5C和圖5D是示出根據本發明構思的一些實施方式的圖2中的區域A的各種修改的放大圖。

圖6A是根據本發明構思的一些實施方式的半導體器件的俯視圖。

圖6B是根據本發明構思的一些實施方式的沿圖6A中所示的線BB'和線CC'截取的剖視圖。

圖6C是根據本發明構思的一些實施方式的沿圖6A中所示的線DD'和線EE'截取的剖視圖。

圖7是根據本發明構思的一些實施方式的半導體器件中包括的電阻器接觸和源極/漏極接觸的放大剖視圖。