[發(fā)明專利]圖像傳感器及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810381052.6 | 申請日: | 2018-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN108428711A | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周艮梅;穆鈺平;黃曉櫓 | 申請(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻擋結(jié)構(gòu) 圖像傳感器 基底表面 濾色鏡 像素區(qū) 側(cè)壁 基底 相鄰像素 銳角 覆蓋 | ||
1.一種圖像傳感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底包括若干相互分離的像素區(qū);
在相鄰像素區(qū)之間的基底表面形成阻擋結(jié)構(gòu),所述阻擋結(jié)構(gòu)的底部尺寸大于頂部尺寸,且所述阻擋結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與底部表面呈銳角;
在各所述像素區(qū)的基底表面分別形成濾色鏡,所述濾色鏡覆蓋阻擋結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述阻擋結(jié)構(gòu)的材料為金屬;所述金屬包括鎢或者鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述夾角的范圍為:60度~85度。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述阻擋結(jié)構(gòu)底部尺寸為:0.1微米~0.16微米。
5.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述阻擋結(jié)構(gòu)頂部尺寸為:0.02微米~0.08微米。
6.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述基底內(nèi)具有阱區(qū),所述阱區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子;所述像素區(qū)的阱區(qū)內(nèi)具有光電摻雜區(qū),所述光電摻雜區(qū)內(nèi)具有第二摻雜離子,所述第二摻雜離子與第一摻雜離子的導(dǎo)電類型相反。
7.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,形成所述阻擋結(jié)構(gòu)之前,所述形成方法還包括:在所述基底表面形成鈍化層;在所述鈍化層表面形成停止層。
8.如權(quán)利要求7所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述阻擋結(jié)構(gòu)的形成方法包括:在所述停止層表面形成阻擋結(jié)構(gòu)膜,相鄰像素區(qū)之間的所述阻擋結(jié)構(gòu)膜表面具有第一掩膜層;以所述第一掩膜層為掩膜,刻蝕所述阻擋結(jié)構(gòu)膜,直至暴露出停止層的頂部表面,形成所述阻擋結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,以所述第一掩膜層為掩膜,刻蝕所述阻擋結(jié)構(gòu)膜的工藝包括干法刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝中的一種或者兩種組合。
10.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述濾色鏡為紅色濾色鏡、綠色濾色鏡或藍(lán)色濾色鏡中的一個;所述濾色鏡的頂部尺寸大于底部尺寸。
11.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,形成所述濾色鏡之后,所述形成方法還包括:在所述濾色鏡表面形成透鏡結(jié)構(gòu)。
12.一種采用如權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)方法所形成的圖像傳感器,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括若干相互分離的像素區(qū);
位于相鄰像素區(qū)之間基底表面的阻擋結(jié)構(gòu),所述阻擋結(jié)構(gòu)的底部尺寸大于頂部尺寸,且所述阻擋結(jié)構(gòu)側(cè)壁與底部表面呈銳角;
位于各所述像素區(qū)的基底表面的濾色鏡,所述濾色鏡覆蓋阻擋結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德淮半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)德淮半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810381052.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





