[發明專利]陽極結構和陽極結構制造方法

在審

• 申請號: 201810378742.6
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108376746A
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 王波;祝曉釗;史曉波;王江南;馮敏強;廖良生
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃有機光電技術研究所有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 張海洋

本發明提供的陽極結構和陽極結構制造方法，涉及半導體技術領域。其中，陽極結構由襯底、驅動電路、鈍化層、第一陽極層、第二陽極層以及第三陽極層組成。驅動電路制作于襯底，鈍化層制作于驅動電路遠離襯底的一面，第一陽極層制作于鈍化層遠離驅動電路的一面，第二陽極層制作于第一陽極層遠離鈍化層的一面，第三陽極層制作于第二陽極層遠離第一陽極層的一面。并且，鈍化層與第一陽極層對應的位置設置有通孔，該通孔貫穿鈍化層且填充有導電材料以使驅動電路與第一陽極層電連接，第二陽極層為Al：Ag結構層。通過上述設置，可以改善現有技術中因需要設置陽極隔離柱而存在制造工藝復雜、陽極層易損傷的問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種陽極結構和陽極結構制造方法。

背景技術

隨著半導體器件的應用領域的不斷擴展，為保證半導體器件的性能，半導體器件的制造得到了廣泛的關注。其中，在OLED器件中陽極結構的反射性能直接決定了OLED器件的顯示性能，并且，一般采用鋁作為陽極材料。由于鋁的特性而導致其厚度對反射性能的影響較小，若要提高陽極結構的反射性能需要設置厚度較大的鋁金屬陽極，并且，若鋁金屬陽極的厚度較大將會導致OLED器件的陰極容易出現斷路的問題。

經發明人研究發現，現有技術中，通過設置陽極隔離柱，可以避免鋁金屬陽極的厚度較大而存在OLED器件的陰極容易出現斷路的問題。但是，由于陽極隔離柱的設置而存在著制造工藝復雜、陽極層易損傷的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種陽極結構和陽極結構制造方法，以改善現有技術中因需要設置陽極隔離柱而存在制造工藝復雜、陽極層易損傷的問題。

為實現上述目的，本發明實施例采用如下技術方案：

一種陽極結構，由襯底、驅動電路、鈍化層、第一陽極層、第二陽極層以及第三陽極層組成；

所述驅動電路制作于所述襯底，所述鈍化層制作于所述驅動電路遠離所述襯底的一面，所述第一陽極層制作于所述鈍化層遠離所述驅動電路的一面，所述第二陽極層制作于所述第一陽極層遠離所述鈍化層的一面，所述第三陽極層制作于所述第二陽極層遠離所述第一陽極層的一面；

其中，所述鈍化層與所述第一陽極層對應的位置設置有通孔，該通孔貫穿所述鈍化層且填充有導電材料以使所述驅動電路與所述第一陽極層電連接，所述第二陽極層為Al：Ag結構層。

在本發明實施例較佳的選擇中，在上述陽極結構中，Al：Ag結構層中Al和Ag的比例為95％：5％。

在本發明實施例較佳的選擇中，在上述陽極結構中，所述襯底為硅片、玻璃、PET結構或PI結構，所述第一陽極層為Cr結構層、Ti結構層或Cr：Ti結構層，所述第三陽極層為TiN結構層。

在本發明實施例較佳的選擇中，在上述陽極結構中，所述襯底的厚度為0.01-2mm，所述第一陽極層的厚度為1-10nm，所述第二陽極層的厚度為50-100nm，所述第三陽極層的厚度為1-10nm。

在本發明實施例較佳的選擇中，在上述陽極結構中，所述第一陽極層的厚度為10nm，所述第二陽極層的厚度為50nm，所述第三陽極層的厚度為10nm。

在本發明實施例較佳的選擇中，在上述陽極結構中，所述鈍化層為SiO₂結構層、SiN_x結構層或SiO₂和SiN_x的混合結構層。

在本發明實施例較佳的選擇中，在上述陽極結構中，所述鈍化層為SiO₂結構層,且厚度為300nm。

本發明實施例還提供了一種陽極結構制造方法，包括：

提供一襯底，并在所述襯底上制作驅動電路；