[發明專利]陽極結構和陽極結構制造方法

在審

• 申請號: 201810378742.6
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108376746A
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 王波;祝曉釗;史曉波;王江南;馮敏強;廖良生
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃有機光電技術研究所有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 張海洋

1.一種陽極結構，其特征在于，所述陽極結構由襯底、驅動電路、鈍化層、第一陽極層、第二陽極層以及第三陽極層組成；

所述驅動電路制作于所述襯底，所述鈍化層制作于所述驅動電路遠離所述襯底的一面，所述第一陽極層制作于所述鈍化層遠離所述驅動電路的一面，所述第二陽極層制作于所述第一陽極層遠離所述鈍化層的一面，所述第三陽極層制作于所述第二陽極層遠離所述第一陽極層的一面；

其中，所述鈍化層與所述第一陽極層對應的位置設置有通孔，該通孔貫穿所述鈍化層且填充有導電材料以使所述驅動電路與所述第一陽極層電連接，所述第二陽極層為Al：Ag結構層。

2.根據權利要求1所述的陽極結構，其特征在于，Al：Ag結構層中Al和Ag的比例為95％：5％。

3.根據權利要求1或2所述的陽極結構，其特征在于，所述襯底為硅片、玻璃、PET結構或PI結構，所述第一陽極層為Cr結構層、Ti結構層或Cr：Ti結構層，所述第三陽極層為TiN結構層。

4.根據權利要求1或2所述的陽極結構，其特征在于，所述襯底的厚度為0.01-2mm，所述第一陽極層的厚度為1-10nm，所述第二陽極層的厚度為50-100nm，所述第三陽極層的厚度為1-10nm。

5.根據權利要求4所述的陽極結構，其特征在于，所述第一陽極層的厚度為10nm，所述第二陽極層的厚度為50nm，所述第三陽極層的厚度為10nm。

6.根據權利要求1或2所述的陽極結構，其特征在于，所述鈍化層為SiO₂結構層、SiN_x結構層或SiO₂和SiN_x的混合結構層。

7.根據權利要求5所述的陽極結構，其特征在于，所述鈍化層為SiO₂結構層,且厚度為300nm。

8.一種陽極結構制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，并在所述襯底上制作驅動電路；

在所述驅動電路遠離所述襯底的一面制作具有通孔的鈍化層；

在所述鈍化層遠離所述驅動電路的一面制作第一陽極層；

在所述第一陽極層遠離所述鈍化層的一面制作第二陽極層；

在所述第二陽極層遠離所述第一陽極層的一面制作第三陽極層；

其中，所述通孔貫穿所述鈍化層且填充有導電材料以使所述驅動電路與所述第一陽極層電連接，所述第二陽極層為Al：Ag結構層。

9.根據權利要求8所述的陽極結構制造方法，其特征在于，所述在所述鈍化層遠離所述驅動電路的一面制作第一陽極層的步驟包括：

在所述鈍化層遠離所述驅動電路的一面旋涂光刻膠；

對所述光刻膠的預設區域進行曝光顯影操作；

在所述光刻膠遠離所述鈍化層的一面制作第一陽極層；

在執行所述在所述第二陽極層遠離所述第一陽極層的一面制作第三陽極層的步驟之后，所述方法還包括：

通過剝離液對所述光刻膠進行剝離處理，以剝離所述預設區域以外的區域對應的光刻膠、第一陽極層、第二陽極層以及第三陽極層。

10.根據權利要求8或9所述的陽極結構制造方法，其特征在于，所述第一陽極層、第二陽極層以及第三陽極層的制作方法包括熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、磁控濺射法或PECVD法。