[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810378674.3
• 申請(qǐng)日: 2018-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN109786354A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹佩華;陳承先;朱立寰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

本公開實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)。此封裝結(jié)構(gòu)包括介電層形成于第一基板之上，以及導(dǎo)電層形成于介電層之中。此封裝結(jié)構(gòu)包括凸塊下金屬層形成于介電層之上，且凸塊下金屬層電性連接至導(dǎo)電層。此封裝結(jié)構(gòu)亦包括第一突出結(jié)構(gòu)形成于凸塊下金屬層之上，且第一突出結(jié)構(gòu)延伸向上遠(yuǎn)離凸塊下金屬層。此封裝結(jié)構(gòu)包括第二突出結(jié)構(gòu)形成于凸塊下金屬層之上，且第二突出結(jié)構(gòu)延伸向上遠(yuǎn)離凸塊下金屬層。此封裝結(jié)構(gòu)包括第一電性連接器形成于第一突出結(jié)構(gòu)之上；以及第二電性連接器形成于第二突出結(jié)構(gòu)之上。氣隙形成于第一突出結(jié)構(gòu)與第二突出結(jié)構(gòu)之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實(shí)施例是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且特別是關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置使用于各種電子應(yīng)用中，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體裝置通常通過以下方式而制造，包括在半導(dǎo)體基板上依序沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層，使用光刻工藝圖案化上述各材料層，借以在此半導(dǎo)體基板上形成電路組件及元件。通常在單一半導(dǎo)體晶片上制造許多集成電路，并且通過沿著切割線在集成電路之間進(jìn)行切割，以將各個(gè)管芯單一化。上述各個(gè)管芯通常分別地封裝于，例如，多芯片模塊中或其他類型的封裝中。

已經(jīng)開始發(fā)展新的封裝技術(shù)，例如，堆疊式封裝(package on package,PoP)，其中具有裝置管芯的頂部封裝接合至具有另一個(gè)裝置管芯的底部封裝。通過采用新的封裝技術(shù)，將具有不同或相似功能的各種封裝整合在一起。

雖然現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)與制造封裝結(jié)構(gòu)的方法一般已足以勝任其預(yù)期目的，但其尚未全面滿足所有的面向。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括︰介電層，形成于第一基板之上；導(dǎo)電層，形成于介電層之中；凸塊下金屬層，形成于介電層之上，其中凸塊下金屬層電性連接至導(dǎo)電層；第一突出結(jié)構(gòu)，形成于凸塊下金屬層之上，其中第一突出結(jié)構(gòu)延伸向上遠(yuǎn)離凸塊下金屬層；第二突出結(jié)構(gòu)，形成于凸塊下金屬層之上，其中第二突出結(jié)構(gòu)延伸向上遠(yuǎn)離凸塊下金屬層；第一電性連接器，形成于第一突出結(jié)構(gòu)之上；以及第二電性連接器，形成于第二突出結(jié)構(gòu)之上，其中氣隙形成于第一突出結(jié)構(gòu)與第二突出結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括︰裝置管芯，形成于第一基板之上；導(dǎo)電墊，形成于裝置管芯之上；介電層，形成于導(dǎo)電墊之上；導(dǎo)電層，形成于介電層之中且位于導(dǎo)電墊之上，其中導(dǎo)電墊電性連接至導(dǎo)電層；第一凸塊下金屬層，形成于介電層之上，其中凸塊下金屬層電性連接至導(dǎo)電層；第一突出結(jié)構(gòu)，形成于第一凸塊下金屬層之上；第一電性連接器，形成于第一突出結(jié)構(gòu)之上；貫孔結(jié)構(gòu)，相鄰于裝置管芯而形成；第二凸塊下金屬層，形成于貫孔結(jié)構(gòu)之下；第二突出結(jié)構(gòu)，形成于第二凸塊下金屬層之上；以及第二電性連接器，形成于第二突出結(jié)構(gòu)之上。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括︰第一裝置管芯，形成于第一基板之上；封裝結(jié)構(gòu)，圍繞第一裝置管芯；導(dǎo)電層，形成于第一裝置管芯與封裝層之上；多個(gè)第一電性連接器，形成于第一裝置管芯之上，其中第一電性連接器具有第一高度；多個(gè)第二電性連接器，形成于封裝層之上，其中第二電性連接器具有第二高度，且第二高度大于第一高度；第二裝置管芯，形成于第一電性連接器之上；以及多個(gè)突出結(jié)構(gòu)，埋設(shè)于第二電性連接器之中，其中突出結(jié)構(gòu)延伸向上遠(yuǎn)離導(dǎo)電層。

附圖說明

根據(jù)以下的詳細(xì)說明并配合所附附圖做完整公開。應(yīng)注意的是，根據(jù)本產(chǎn)業(yè)的一般作業(yè)，圖示并未必按照比例繪制。事實(shí)上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1A到圖1L示出依據(jù)本公開的一些實(shí)施例的形成第一封裝結(jié)構(gòu)的各個(gè)工藝階段的剖面圖。

圖2A示出依據(jù)本公開的一些實(shí)施例的第一突出結(jié)構(gòu)、第二突出結(jié)構(gòu)及凸塊下金屬層的沿著圖1L的I-I’剖線的俯視圖。

圖2B示出依據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖1L的第一突出結(jié)構(gòu)、第二突出結(jié)構(gòu)、凸塊下金屬層及第一基板的俯視圖。