[發明專利]Co-Cr-Pt-B型合金濺射靶及其制造方法

有效

• 申請號: 201810374017.1
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN108642456B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 森下雄斗;荻野真一;中村祐一郎
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22C30/00;C22C5/04;C22C19/07;C22F1/10;C22F1/14;G11B5/851
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 胡嵩麟;王海川

本發明涉及Co?Cr?Pt?B型合金濺射靶及其制造方法。一種Co?Cr?Pt?B型合金濺射靶，其特征在于，100μm×100μm面積(視野)內的富B相中的0.1～20μm的裂紋數為10個以下。一種Co?Cr?Pt?B型合金濺射靶的制造方法，其特征在于，對Co?Cr?Pt?B型合金鑄錠進行熱鍛或熱軋后，進行伸長率為4％以下的冷軋或冷鍛，進行機械加工而制成靶，使100μm×100μm面積(視野)內的富B相中的0.1～20μm的裂紋數為10個以下，或者，對上述鑄錠進行熱鍛或熱軋后，驟冷至?196℃～100℃，進行機械加工而制成靶。本發明的靶的漏磁通密度高且富B層中微裂紋少，因此，能夠穩定地放電，抑制電弧。

本申請是申請日為2012年5月22日、申請號為201280031484.5的中國專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及適于制造磁記錄介質的Co-Cr-Pt-B型合金濺射靶及其制造方法。

背景技術

近年來，Co-Cr-Pt-B型合金作為用于形成磁記錄介質(硬盤的磁性膜等)的濺射靶使用。

通過濺射法形成膜時，通常使正電極與由負電極構成的靶對置，在惰性氣體氣氛下在這些基板與靶之間施加高電壓從而產生電場來進行。

使用如下原理：通過上述高電壓的施加，電離后的電子與惰性氣體發生撞擊而形成等離子體，該等離子體中的陽離子撞擊到靶(負電極)表面上，擊打出靶的構成原子，該飛出的原子附著到對置的基板表面上而形成膜。

這樣的濺射法有高頻濺射(RF)法、磁控濺射法、DC(直流)濺射法等，根據靶材料或膜形成的條件適當使用。

Co-Cr-Pt-B型合金作為用于形成硬盤的磁性膜的濺射靶使用。此時，如果濺射靶的漏磁通密度低，則在濺射時不會放電，因此，在漏磁通密度低的情況下，必須提高濺射時的電壓。但是，濺射時的電壓增高時，會出現產生電弧或電壓變得不穩定等問題。

因此，為了提高漏磁通密度，在制造靶時，一般的做法是人為地引入應變來提高漏磁通密度。

但是，對Co-Cr-Pt-B型合金進行冷軋時，新出現在合金內的富B層(脆的)產生顯微尺寸的裂紋(以下稱為微裂紋)的問題。這是由于，如后所述，該微裂紋在濺射中成為電弧的起點，成為結瘤或粉粒產生的原因。

因此，可以認為要求微裂紋少的靶是必然的。但是，以往的技術中，沒有意識到這一點會成為問題，另外，也沒有提及用于解決其的方法。

從以往的技術來看，專利文獻1中公開了含有1≤B≤10(原子％)的Co-Pt-B型靶及其制造方法。該制造方法中，記載了：在熱軋溫度800～1100℃下、熱軋前在800～1100℃下進行1小時以上的熱處理。另外記載了：如果含有B則難以進行熱軋，但通過控制溫度，可抑制在鑄錠的熱軋中產生裂紋。

但是，關于漏磁通密度與B的關系、以及微裂紋產生的問題及其解決方法完全沒有記載。

專利文獻2中公開了含有B作為必要成分的CoCrPt型、CoCrPtTa型、CoCrPtTaZr型的濺射靶。該技術中，通過降低Cr-B型金屬間化合物相，能夠改善軋制特性。

作為制造方法以及制造工序，記載了：在1450℃下抽真空，在鑄造溫度1360℃、1100℃下加熱保持6小時后進行爐冷。具體而言，記載了：第一次在1100℃下加熱60分鐘后，以2mm/道次進行軋制，第二次以后，在1100℃下加熱30分鐘，以1道次軋制至5～7mm。

但是，關于漏磁通密度與B的關系、以及微裂紋產生的問題及其解決方法完全沒有記載。

專利文獻3中公開了一種Co-Cr-Pt-B型合金濺射靶，其中，枝狀晶體的枝的直徑為100μm以下，具有共晶組織部的層的厚度為50μm以下的微細鑄造組織。另外提出了：對鑄錠進行10％以下的軋制或鍛造的冷加工。