[發(fā)明專利]太陽能薄膜電池緩沖層的處理工藝及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810373382.0 | 申請日: | 2018-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN110400753A | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐強 | 申請(專利權(quán))人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/465 | 分類號: | H01L21/465;H01L21/477;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 吳婭妮;于寶慶 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能薄膜電池 緩沖層 處理工藝 表面處理劑 硫化鎘薄膜 制備 太陽能電池 退火處理 鎘鹽 | ||
本發(fā)明提供了一種太陽能薄膜電池緩沖層的處理工藝及太陽能薄膜電池的制備方法,其中,所述緩沖層包括硫化鎘薄膜,所述處理工藝包括將設(shè)置有表面處理劑的所述硫化鎘薄膜進行退火處理;所述表面處理劑包含鎘鹽。本發(fā)明一實施方式中,通過對太陽能薄膜電池緩沖層進行處理,提升了太陽能電池的效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能薄膜電池,具體為一種太陽能薄膜電池緩沖層的處理工藝。
背景技術(shù)
銅銦鎵硒(CIGS)太陽能薄膜電池是一種綠色無污染的環(huán)保電池,由于其生產(chǎn)成本低、轉(zhuǎn)化效率高、性能穩(wěn)定、弱光性好、幾乎不衰減、抗輻射能力強等優(yōu)異的特性,是目前最具潛力的太陽能電池。因此,如何在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上使太陽能薄膜電池的性能得到進一步提高成為了關(guān)注點。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個主要目的在于提供一種太陽能薄膜電池緩沖層的處理工藝,其中,所述緩沖層包括硫化鎘薄膜,所述處理工藝包括將設(shè)置有表面處理劑的所述硫化鎘薄膜進行退火處理;所述表面處理劑包含鎘鹽。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述工藝包括:
在所述硫化鎘薄膜的表面設(shè)置表面處理劑;以及
將帶有所述表面處理劑的所述硫化鎘薄膜進行退火處理;
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述鎘鹽選自碘化鎘、氯化鎘、硫酸鎘、硝酸鎘及乙酸鎘中的一種或多種。。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述表面處理劑為鎘鹽溶液。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述工藝包括在所述硫化鎘薄膜的表面設(shè)置1~100nm厚度的鎘鹽溶液。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,通過沾涂或噴涂的方式將所述鎘鹽溶液設(shè)置于所述硫化鎘薄膜的表面。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述乙酸鎘溶液的溶劑選自水、甲醇及乙醇中的一種或多種。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述退火處理的加熱溫度為50~200℃,保持時間為1~60分鐘。
根據(jù)本發(fā)明一實施方式,所述退火處理的加熱溫度為150~180℃。
本發(fā)明一實施方式提供了一種太陽能薄膜電池的制備方法,包括上述的處理工藝。
本發(fā)明一實施方式中,通過對太陽能薄膜電池緩沖層進行處理,提升了太陽能電池的效率。
附圖說明
通過結(jié)合附圖考慮以下對本發(fā)明的優(yōu)選實施例的詳細說明,本發(fā)明的各種目標(biāo)、特征和優(yōu)點將變得更加顯而易見。附圖僅為本發(fā)明的示范性圖解,并非一定是按比例繪制。在附圖中,同樣的附圖標(biāo)記始終表示相同或類似的部件。其中:
圖1為本發(fā)明一實施方式的將表面處理劑沾涂于硫化鎘薄膜表面的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明一實施方式的將表面處理劑噴涂于硫化鎘薄膜表面的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明一實施方式的用于沉積硫化鎘薄膜的設(shè)備的布置簡圖;
圖4為本發(fā)明一實施方式的太陽能薄膜電池的制備方法的流程圖;
圖5為本發(fā)明實施例1的XRD譜圖。
具體實施方式
體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點的典型實施方式將在以下的說明中詳細敘述。應(yīng)理解的是本發(fā)明能夠在不同的實施方式上具有各種的變化,其皆不脫離本發(fā)明的范圍,且其中的說明及圖示在本質(zhì)上是當(dāng)作說明之用,而非用以限制本發(fā)明。
本發(fā)明一實施方式的太陽能薄膜電池,包括基底層、第一電極層、吸收層、緩沖層、窗口層以及第二電極層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司,未經(jīng)北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810373382.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





