[發明專利]太陽能薄膜電池緩沖層的處理工藝及制備方法在審
| 申請號: | 201810373382.0 | 申請日: | 2018-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN110400753A | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發明(設計)人: | 徐強 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/465 | 分類號: | H01L21/465;H01L21/477;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 吳婭妮;于寶慶 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能薄膜電池 緩沖層 處理工藝 表面處理劑 硫化鎘薄膜 制備 太陽能電池 退火處理 鎘鹽 | ||
1.一種太陽能薄膜電池緩沖層的處理工藝,其中,所述緩沖層包括硫化鎘薄膜,所述處理工藝包括將設置有表面處理劑的所述硫化鎘薄膜進行退火處理;所述表面處理劑包含鎘鹽。
2.根據權利要求1所述的工藝,包括:
在所述硫化鎘薄膜的表面設置表面處理劑;以及
將帶有所述表面處理劑的所述硫化鎘薄膜進行退火處理。
3.根據權利要求1或2所述的工藝,其中所述鎘鹽選自碘化鎘、氯化鎘、硫酸鎘、硝酸鎘及乙酸鎘中的一種或多種。
4.根據權利要求3所述的工藝,其中所述表面處理劑為鎘鹽溶液。
5.根據權利要求4所述的工藝,包括在所述硫化鎘薄膜的表面設置1~100nm厚度的所述鎘鹽溶液。
6.根據權利要求4所述的工藝,其中通過沾涂或噴涂的方式將所述鎘鹽溶液設置于所述硫化鎘薄膜的表面。
7.根據權利要求4所述的工藝,其中所述鎘鹽溶液的溶劑選自水、甲醇及乙醇中的一種或多種。
8.根據權利要求1所述的工藝,其中所述退火處理的加熱溫度為50~200℃,保持時間為1~60分鐘。
9.根據權利要求8所述的工藝,其中所述退火處理的加熱溫度為150~180℃。
10.一種太陽能薄膜電池的制備方法,包括權利要求1至9中任一項所述的處理工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





