[發(fā)明專(zhuān)利]一種應(yīng)用于雷達(dá)模擬的可變雙向數(shù)字延遲方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810372837.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108665922B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄒林;姜帥龍;王燦;梁飛;錢(qián)璐;周云;汪學(xué)剛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C11/4063 | 分類(lèi)號(hào): | G11C11/4063 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專(zhuān)利中心 51203 | 代理人: | 陳一鑫 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 應(yīng)用于 雷達(dá) 模擬 可變 雙向 數(shù)字 延遲 方法 | ||
1.一種應(yīng)用于雷達(dá)模擬的可變雙向數(shù)字延遲方法,該方法包括:
步驟1: 初始化DRAM的所有內(nèi)存數(shù)據(jù)為“0”,針對(duì)指向DRAM內(nèi)存中第1個(gè)位置;
步驟2:確定雷達(dá)模擬的延遲量N;
步驟3:根據(jù)延遲量對(duì)DRAM的內(nèi)存進(jìn)行讀寫(xiě),模式為先讀后寫(xiě);
(1)當(dāng)延遲量為N時(shí),指針最大深度為N:
第一拍:讀出DRAM內(nèi)存中第1位置的數(shù)據(jù)“0”后寫(xiě)入雷達(dá)模擬第1數(shù)據(jù)data0,指針跳轉(zhuǎn)到第2位置;
第二拍:讀出DRAM內(nèi)存中第2位置的數(shù)據(jù)“0” 后寫(xiě)入雷達(dá)模擬第2數(shù)據(jù)data1,指針跳轉(zhuǎn)到第3位置;
第三拍:讀出DRAM內(nèi)存中第3位置的數(shù)據(jù)“0” 后寫(xiě)入雷達(dá)模擬第3數(shù)據(jù)data2,指針跳轉(zhuǎn)到第4位置;
……
第N拍:讀出DRAM內(nèi)存中第N個(gè)位置的數(shù)據(jù)“0” 后寫(xiě)入雷達(dá)模擬第N個(gè)數(shù)據(jù)dataN-1,指針跳轉(zhuǎn)到第1位置;
第N+1拍:讀出DRAM內(nèi)存中第1位置的數(shù)據(jù)“data0” 后寫(xiě)入雷達(dá)模擬第N數(shù)據(jù)dataN,指針跳轉(zhuǎn)到第2位置;
第N+2拍:讀出DRAM內(nèi)存中第2位置的數(shù)據(jù)“data1” 后寫(xiě)入雷達(dá)模擬第N數(shù)據(jù)dataN+1,指針跳轉(zhuǎn)到第3位置;
……
上述方法中每當(dāng)指針指向DRAM內(nèi)存中第N位置后,下一位置跳轉(zhuǎn)至DRAM內(nèi)存中第1位置,采用該方法對(duì)后續(xù)雷達(dá)模擬信號(hào)依次進(jìn)行延遲;
(2)當(dāng)延遲量由N變?yōu)镹+M時(shí),指針最大深度為N+M:
首先指針在DRAM內(nèi)存中第1~第N位置上依次跳轉(zhuǎn),當(dāng)指針指向第N位置時(shí),下一次跳轉(zhuǎn)至第N+1位置,讀出DRAM內(nèi)存中第N+1位置的數(shù)據(jù)“0”后寫(xiě)入當(dāng)前雷達(dá)的第N模擬數(shù)據(jù);
然后指針在DRAM內(nèi)存中第N+1~第N+M位置上依次跳轉(zhuǎn),當(dāng)指針指向第N+M位置時(shí),下一次跳轉(zhuǎn)至第1個(gè)位置,讀出DRAM內(nèi)存中第1位置的數(shù)據(jù)后寫(xiě)入當(dāng)前雷達(dá)的N+M+1模擬數(shù)據(jù);接著指針在DRAM內(nèi)存中第1~第N+M位置上依次跳轉(zhuǎn);每當(dāng)指針指向第N+M位置時(shí),下一次跳轉(zhuǎn)至第1位置,讀出DRAM內(nèi)存中第1位置的數(shù)據(jù)后寫(xiě)入當(dāng)前雷達(dá)的模擬數(shù)據(jù);
(3)當(dāng)延遲量由N變?yōu)镹-M時(shí),指針最大深度為N-M:
首先指針在DRAM內(nèi)存中第1~第N位置上依次跳轉(zhuǎn),當(dāng)指針指向第N位置時(shí),下一次跳轉(zhuǎn)至第1位置;
然后指針在DRAM內(nèi)存中第1~第N-M位置上依次跳轉(zhuǎn),當(dāng)指針指向第N-M位置時(shí),下一次跳轉(zhuǎn)至第1位置;接著指針在DRAM內(nèi)存中第1~第N-M位置上依次跳轉(zhuǎn);每當(dāng)指針指向第N-M位置時(shí),下一次跳轉(zhuǎn)至第1位置;上述指針每次跳轉(zhuǎn)后都會(huì)按照先讀后寫(xiě)的方式進(jìn)行雷達(dá)模擬數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。
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