[發(fā)明專利]豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串以及形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810372353.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN108735758B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·D·霍普金斯;D·戴寇克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H10B43/30
• 分類號(hào): H10B43/30;H10B43/27
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)是針對(duì)豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串以及形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法。所述方法包括形成在豎向方向上處于上部堆疊與下部堆疊之間的介入結(jié)構(gòu)，所述上部堆疊和所述下部堆疊分別包括有包括不同組分材料的交替層。所述介入結(jié)構(gòu)被形成為包括豎向延伸的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層和橫向中央材料，所述橫向中央材料在所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的橫向內(nèi)側(cè)且其中具有摻雜劑。所述摻雜劑中的一些從所述橫向中央材料熱擴(kuò)散到上部堆疊溝道材料中。在所述熱擴(kuò)散期間使用所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層，以使得相比于所述摻雜劑擴(kuò)散到下部堆疊溝道材料中(若存在)，所述摻雜劑更多地?zé)釘U(kuò)散到所述上部堆疊溝道材料中。本發(fā)明公開包含與方法無關(guān)的結(jié)構(gòu)的其它實(shí)施例。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中所公開的實(shí)施例涉及豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串以及形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器為電子系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置?？扉W存儲(chǔ)器是存儲(chǔ)器的一個(gè)類型，且大量用于計(jì)算機(jī)和其它裝置中。舉例來說，個(gè)人計(jì)算機(jī)可將BIOS存儲(chǔ)在快閃存儲(chǔ)器芯片上。作為另一實(shí)例，快閃存儲(chǔ)器用于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器中以代替旋轉(zhuǎn)硬盤驅(qū)動(dòng)器。作為又一實(shí)例，快閃存儲(chǔ)器用于無線電子裝置中，所述快閃存儲(chǔ)器使得制造商能夠在新的通信協(xié)議變得標(biāo)準(zhǔn)化時(shí)支持所述新的通信協(xié)議，且使得制造商能夠提供針對(duì)改進(jìn)特征或增強(qiáng)特征遠(yuǎn)程升級(jí)裝置的能力。

典型的快閃存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)器陣列，其包含以行和列方式布置的多個(gè)存儲(chǔ)器單元?？扉W存儲(chǔ)器可以塊形式被擦除和重編程。NAND可為快閃存儲(chǔ)器的基本架構(gòu)。NAND單元單位包括與存儲(chǔ)器單元的串行合并串聯(lián)連接的至少一個(gè)選擇裝置(所述串行合并通常被稱作NAND串)。實(shí)例NAND架構(gòu)描述于美國(guó)專利第7,898,850號(hào)中。

存儲(chǔ)器單元串可被布置成水平地或豎直地延伸。相比于水平地延伸存儲(chǔ)器單元串，豎直的存儲(chǔ)器單元串減小存儲(chǔ)器單元所占的襯底的水平區(qū)域，但其代價(jià)通常為豎直厚度增加。豎直存儲(chǔ)器單元串通常以多個(gè)堆疊或?qū)影宓姆绞街圃?，此情形有助于其制造。每一堆疊包含豎直交替的層，所述豎直交替的層包括個(gè)別電荷存儲(chǔ)晶體管的控制柵極材料，其與絕緣材料豎直交替。溝道柱延伸穿過堆疊中的每一個(gè)，且導(dǎo)電互連件使豎向緊鄰溝道柱的溝道電耦合在一起。經(jīng)導(dǎo)電摻雜的多晶硅是用于導(dǎo)電互連件的一種實(shí)例材料。舉例來說，此種材料可經(jīng)導(dǎo)電摻雜有磷(n型材料)。磷可在多晶硅上方和下方擴(kuò)散到上部和下部堆疊溝道材料中。相比于向上擴(kuò)散，更多的磷可能向下擴(kuò)散，此情形可不利地影響下部堆疊的豎向最外部分中的可編程存儲(chǔ)器單元。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)方面中，本申請(qǐng)是針對(duì)一種為形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法的一部分的方法，其包括：形成在豎向方向上處于上部堆疊與下部堆疊之間的介入結(jié)構(gòu)，所述上部堆疊和所述下部堆疊分別包括有包括不同組分材料的交替層，所述介入結(jié)構(gòu)被形成為包括豎向延伸的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層和橫向中央材料，所述橫向中央材料在所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的橫向內(nèi)側(cè)且其中具有摻雜劑；以及使所述摻雜劑中的一些從所述橫向中央材料熱擴(kuò)散到上部堆疊溝道材料中，在所述熱擴(kuò)散期間使用所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層，以使得相比于所述摻雜劑擴(kuò)散到下部堆疊溝道材料中(若存在)，所述摻雜劑更多地?zé)釘U(kuò)散到所述上部堆疊溝道材料中。