[發(fā)明專利]豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串以及形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810372353.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108735758B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·D·霍普金斯;D·戴寇克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號(hào): | H10B43/30 | 分類號(hào): | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國(guó)愛(ài)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 豎向 延伸 存儲(chǔ)器 單元 以及 形成 方法 | ||
1.一種形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法,所述方法包括:
形成在豎向方向上處于上部堆疊與下部堆疊之間的介入結(jié)構(gòu),所述上部堆疊和所述下部堆疊分別包括有包括不同組分材料的交替層,所述介入結(jié)構(gòu)被形成為包括豎向延伸的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層和橫向中央材料,所述橫向中央材料在所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的橫向內(nèi)側(cè)且其中具有摻雜劑;以及
使所述摻雜劑中的一些從所述橫向中央材料熱擴(kuò)散到上部堆疊溝道材料中,在所述熱擴(kuò)散期間使用所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層,以使得相比于所述摻雜劑擴(kuò)散到下部堆疊溝道材料中,所述摻雜劑更多地?zé)釘U(kuò)散到所述上部堆疊溝道材料中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,
所述介入結(jié)構(gòu)被形成為包括在所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的豎向最外表面上方的摻雜劑可通過(guò)的頂端材料;以及
所述熱擴(kuò)散包括使所述摻雜劑中的一些從所述橫向中央材料擴(kuò)散穿過(guò)所述摻雜劑可通過(guò)的頂端材料,且擴(kuò)散到所述上部堆疊溝道材料中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中直接抵靠所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的所述豎向最外表面形成所述摻雜劑可通過(guò)的頂端材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層被形成為絕緣性的。
5.一種形成豎向延伸的存儲(chǔ)器單元串的方法,其包括:
形成包括第一交替層的下部堆疊、在所述下部堆疊上方的絕緣體材料、延伸穿過(guò)所述絕緣體材料和整倍數(shù)個(gè)所述第一交替層的下部開(kāi)口,所述第一交替層包括不同組分的第一和第二下部堆疊材料;
在所述下部開(kāi)口中形成下部堆疊溝道材料,所述下部堆疊溝道材料包括豎向最外部分,所述豎向最外部分抵靠所述下部開(kāi)口的側(cè)壁且不足以填充所述下部開(kāi)口的豎向最外部分;
在所述下部堆疊溝道材料的所述豎向最外部分的橫向內(nèi)側(cè),圍繞所述下部開(kāi)口形成豎向延伸的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層;
用在所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的橫向內(nèi)側(cè)的橫向中央材料填充所述下部開(kāi)口的其余體積;
在所述填充之后,使所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層在豎向方向上相對(duì)于所述絕緣體材料鄰近所述下部開(kāi)口的豎向最外表面凹入,以將所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層形成為其豎向最外表面低于所述絕緣體材料鄰近所述下部開(kāi)口的所述豎向最外表面;
在所述凹入的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的所述豎向最外表面上方形成頂端材料;
在豎向方向上在所述下部堆疊和所述頂端材料上方形成包括第二交替層的上部堆疊,所述第二交替層包括不同組分的第一和第二上部堆疊材料,所述上部堆疊具有在豎向方向上延伸穿過(guò)整倍數(shù)個(gè)所述第二交替層且延伸到所述頂端材料的上部開(kāi)口;
在所述上部開(kāi)口中形成與所述下部堆疊溝道材料電耦合的上部堆疊溝道材料;
在相應(yīng)的上部和下部堆疊溝道材料的橫向外側(cè)提供控制柵極材料;以及
在橫向方向上在所述控制柵極材料與所述相應(yīng)的上部和下部堆疊溝道材料之間提供個(gè)別存儲(chǔ)器單元的絕緣性電荷傳遞材料、電荷存儲(chǔ)材料和電荷阻擋區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中直接抵靠所述凹入的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層形成所述頂端材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中直接抵靠所述凹入的摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的所述豎向最外表面形成所述頂端材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述使所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層在豎向方向上凹入還使所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層在豎向方向上相對(duì)于所述橫向中央材料的豎向最外表面凹入,由此所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的所述豎向最外表面低于所述橫向中央材料的所述豎向最外表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述使所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層在豎向方向上凹入還使所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層在豎向方向上相對(duì)于所述下部堆疊溝道材料的豎向最外表面凹入,由此所述摻雜劑擴(kuò)散阻擋層的所述豎向最外表面低于所述下部堆疊溝道材料的所述豎向最外表面。
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