[發(fā)明專利]一種屏蔽膜、電路板及移動終端有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810372346.2 | 申請日: | 2018-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN108391370B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 易小軍 | 申請(專利權)人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;B32B15/20;B32B27/28;B32B7/12;B32B3/08;B32B3/26;B32B3/04;B32B33/00;B32B37/10;B32B37/06 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 屏蔽 電路板 移動 終端 | ||
本發(fā)明提供一種屏蔽膜、電路板、移動終端、屏蔽膜的制備方法及電路板的制備方法;其中,所述屏蔽膜應用于電路板上,所述屏蔽膜包括屏蔽層及絕緣層,所述屏蔽層的一側(cè)面覆蓋所述絕緣層,所述絕緣層的背對所述屏蔽層的一側(cè)面貼合所述電路板的基材層,所述絕緣層設有接地開口,所述接地開口中填充有導電膠,且所述導電膠的一側(cè)面貼合所述屏蔽層,所述導電膠的另一側(cè)面貼合所述基材層上的接地焊盤。本發(fā)明實施例提供的技術方案解決了現(xiàn)有的屏蔽膜整體厚度較厚、不利于電路板上元器件的布局的問題。
技術領域
本發(fā)明涉及通信技術領域,尤其涉及一種屏蔽膜、電路板、移動終端、屏蔽膜的制備方法及電路板的制備方法。
背景技術
屏蔽膜因其厚度薄和屏蔽效果好等特點,被廣泛應用于移動終端產(chǎn)品中,以適應移動終端產(chǎn)品薄型化、多功能化及智能化的發(fā)展趨勢。目前,屏蔽膜通常是絕緣層、屏蔽層及導電膠依次設置,而后將屏蔽膜壓合在電路板上。這樣的設置,使得屏蔽膜的側(cè)面會露出屏蔽層及導電膠,容易與周圍元器件發(fā)生短路的風險;也使得屏蔽膜的整體厚度較厚,不利于電路板上元器件的布局。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種屏蔽膜、電路板、移動終端、屏蔽膜的制備方法及電路板的制備方法,以解決現(xiàn)有的屏蔽膜整體厚度較厚、不利于電路板上元器件的布局的問題。
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種屏蔽膜,應用于電路板上,所述屏蔽膜包括屏蔽層及絕緣層,所述屏蔽層的一側(cè)面覆蓋所述絕緣層,所述絕緣層的背對所述屏蔽層的一側(cè)面貼合所述電路板的基材層,所述絕緣層設有接地開口,所述接地開口中填充有導電膠,且所述導電膠的一側(cè)面貼合所述屏蔽層,所述導電膠的另一側(cè)面貼合所述基材層上的接地焊盤。
第二方面,本發(fā)明實施例還提供了一種電路板,包括絕緣覆蓋層、基材層及如第一方面中所述的屏蔽膜,所述絕緣覆蓋層覆蓋于所述基材層上,所述屏蔽膜嵌于所述絕緣覆蓋層中,且所述屏蔽膜的絕緣層貼合所述基材層,所述基材層上設有連接所述導電膠的接地焊盤,所述絕緣覆蓋層的背對所述基材層的一側(cè)開設有接地通孔,以使嵌于所述絕緣覆蓋層中的所述屏蔽膜的屏蔽層的部分顯露于所述接地通孔中。
第三方面,本發(fā)明實施例還提供了一種移動終端,包括殼體及如第二方面中所述的電路板,所述電路板安裝于所述殼體內(nèi)。
第四方面,本發(fā)明實施例還提供一種屏蔽膜的制備方法,包括以下步驟:
步驟一、選取一屏蔽層,在屏蔽層一側(cè)涂覆絕緣層漿料,待絕緣層漿料固化后形成絕緣層,以得到屏蔽膜;
步驟二、將所述屏蔽膜進行曝光處理,將曝光處理后的所述屏蔽膜浸入顯影液中進行顯影處理,以將所述絕緣層的未發(fā)生光聚合反應的部分沖掉來形成接地開口;
步驟三、在所述接地開口中填充入導電膠;
步驟四、對所述屏蔽膜進行壓合操作;其中,所述壓合操作的壓合溫度為160℃~180℃,壓合壓力為30-40kg/cm2,壓合時間大于60min。
第五方面,本發(fā)明實施例還提供一種電路板的制備方法,包括以下步驟:
步驟一、選取一基材層,在所述基材層上設置接地焊盤,將屏蔽膜貼合在所述基材層的設有接地焊盤的一側(cè),并使所述屏蔽膜的導電膠連接所述接地焊盤;
步驟二、選取一絕緣覆蓋層,并在所述絕緣覆蓋層上開設一接地通孔;
步驟三、將開設有所述接地通孔的所述絕緣覆蓋層覆蓋在貼合有所述屏蔽膜的所述基材層上,并進行壓合操作,以使所述絕緣覆蓋層覆蓋所述屏蔽膜的側(cè)邊及一側(cè)表面,所述屏蔽膜的一側(cè)表面顯露于所述接地通孔中;
其中,所述壓合操作的壓合溫度為160℃~180℃,壓合壓力為30-40kg/cm2,壓合時間大于60min。
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