[發明專利]一種屏蔽膜、電路板及移動終端

有效

• 申請號: 201810372346.2
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108391370B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 易小軍
• 申請（專利權）人: 維沃移動通信有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;B32B15/20;B32B27/28;B32B7/12;B32B3/08;B32B3/26;B32B3/04;B32B33/00;B32B37/10;B32B37/06
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種屏蔽膜，應用于電路板上，其特征在于，所述屏蔽膜包括屏蔽層及絕緣層，所述屏蔽層的一側面覆蓋所述絕緣層，所述絕緣層的背對所述屏蔽層的一側面貼合所述電路板的基材層，所述絕緣層設有接地開口，所述接地開口中填充有導電膠，且所述導電膠的一側面貼合所述屏蔽層，所述導電膠的另一側面貼合所述基材層上的接地焊盤；所述導電膠的厚度與所述絕緣層的厚度一致，所述屏蔽膜的厚度為所述絕緣層的厚度與所述屏蔽層的厚度之和；所述屏蔽層的材質為可彎折的金屬材質，所述導電膠的剝離力＞0.55N/mm，所述導電膠的接地阻值＜1Ω。

2.根據權利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣層的材質為具有感光性能的材料，所述接地開口通過所述絕緣層經曝光顯影而形成。

3.根據權利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣層的材質為添加有聚氨酯的感光聚酰亞胺。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣層的厚度為2μm～5μm，所述屏蔽層的厚度為0.1μm～1μm。

5.一種電路板，其特征在于，包括絕緣覆蓋層、基材層及如權利要求1至4中任一項所述的屏蔽膜，所述絕緣覆蓋層覆蓋于所述基材層上，所述屏蔽膜嵌于所述絕緣覆蓋層中，且所述屏蔽膜的絕緣層貼合所述基材層，所述基材層上設有連接所述導電膠的接地焊盤，所述絕緣覆蓋層的背對所述基材層的一側開設有接地通孔，以使嵌于所述絕緣覆蓋層中的所述屏蔽膜的屏蔽層至少部分顯露于所述接地通孔中。

6.根據權利要求5所述的電路板，其特征在于，所述絕緣覆蓋層包括第一蓋膜及第二蓋膜，所述第一蓋膜覆蓋于所述第二蓋膜上，所述第二蓋膜覆蓋于所述基材層上；所述屏蔽膜嵌于所述第二蓋膜中，所述接地通孔貫通所述第一蓋膜。

7.根據權利要求6所述的電路板，其特征在于，所述基材層包括第一基材層及第二基材層，所述第二蓋膜及所述屏蔽膜覆蓋于所述第一基材層上，所述第一基材層覆蓋于所述第二基材層上；所述第一基材層上設有連接所述導電膠的接地焊盤。

8.一種移動終端，其特征在于，包括殼體及如權利要求5至7中任一項所述的電路板，所述電路板安裝于所述殼體內。

9.一種屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、選取一屏蔽層，在屏蔽層一側涂覆絕緣層漿料，待絕緣層漿料固化后形成絕緣層，以得到屏蔽膜；其中，所述屏蔽層的材質為可彎折的金屬材質；

步驟二、將所述屏蔽膜進行曝光處理，將曝光處理后的所述屏蔽膜浸入顯影液中進行顯影處理，以將所述絕緣層的未發生光聚合反應的部分沖掉來形成接地開口；

步驟三、在所述接地開口中填充入導電膠；所述導電膠的厚度與所述絕緣層的厚度一致；所述導電膠的剝離力＞0.55N/mm，所述導電膠的接地阻值＜1Ω；

步驟四、對所述屏蔽膜進行壓合操作，所述屏蔽膜的厚度為所述絕緣層的厚度與所述屏蔽層的厚度之和；其中，所述壓合操作的壓合溫度為160℃～180℃，壓合壓力為30-40kg/cm²，壓合時間大于60min。

10.一種電路板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、選取一基材層，在所述基材層上設置接地焊盤，將屏蔽膜貼合在所述基材層的設有接地焊盤的一側，并使所述屏蔽膜的導電膠連接所述接地焊盤；

步驟二、選取一絕緣覆蓋層，并在所述絕緣覆蓋層上開設一接地通孔；

步驟三、將開設有所述接地通孔的所述絕緣覆蓋層覆蓋在貼合有所述屏蔽膜的所述基材層上，并進行壓合操作，以使所述絕緣覆蓋層覆蓋所述屏蔽膜的側邊及一側表面，所述屏蔽膜的一側表面顯露于所述接地通孔中；

其中，所述壓合操作的壓合溫度為160℃～180℃，壓合壓力為30-40kg/cm²，壓合時間大于60min。