[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810371239.8
• 申請(qǐng)日: 2018-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN108789025B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)家一馬;卡爾·普利瓦西爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): B24B19/00
• 分類號(hào): B24B19/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供晶片的加工方法，充分抑制凹凸的影響，不需要磨削后追加的作業(yè)。該加工方法包含：保護(hù)膜緊貼步驟，利用保護(hù)膜對(duì)在正面上具有器件區(qū)域和圍繞器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的晶片的除了外周剩余區(qū)域以外的器件區(qū)域進(jìn)行覆蓋，使保護(hù)膜效仿凹凸而緊貼在正面?zhèn)龋渲校谄骷^(qū)域形成有具有該凹凸的器件；帶保護(hù)部件的晶片形成步驟，利用由通過外部刺激而硬化的硬化型液態(tài)樹脂構(gòu)成的保護(hù)部件來包覆保護(hù)膜和露出的外周剩余區(qū)域，形成晶片的正面?zhèn)缺槐Ｗo(hù)部件覆蓋的帶保護(hù)部件的晶片；磨削步驟，在利用卡盤工作臺(tái)的保持面對(duì)帶保護(hù)部件的晶片的保護(hù)部件側(cè)進(jìn)行了保持的狀態(tài)下磨削晶片的背面而使晶片變薄；和剝離步驟，將保護(hù)部件和保護(hù)膜從已變薄的晶片剝離。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，晶片的加工方法在對(duì)正面上具有凹凸的晶片進(jìn)行磨削時(shí)使用。

背景技術(shù)

為了使組入各種電子設(shè)備等的器件芯片小型化、輕量化，將被分割成器件芯片前的晶片加工得較薄的機(jī)會(huì)增加。例如利用卡盤工作臺(tái)對(duì)晶片的設(shè)置有器件的正面?zhèn)冗M(jìn)行保持并將旋轉(zhuǎn)的磨具工具按壓至晶片的背面?zhèn)龋瑥亩軌驅(qū)υ摼M(jìn)行磨削而變薄。

在利用上述那樣的方法對(duì)晶片進(jìn)行磨削時(shí)，通常在晶片的正面?zhèn)日迟N保護(hù)部件(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。由此，能夠防止由于磨削時(shí)施加的力等使正面?zhèn)鹊钠骷茡p。作為保護(hù)部件，例如使用由樹脂等材料形成的粘接帶或硬度高的基板等。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-50642號(hào)公報(bào)

但是，大多情況下在該晶片的正面?zhèn)纫蜃鳛槠骷碾姌O發(fā)揮功能的凸塊等而形成有凹凸。當(dāng)在晶片的正面?zhèn)却嬖诎纪箷r(shí)，無法利用粘接帶充分地緩和該凹凸的高低差，會(huì)在磨削后的晶片的背面?zhèn)瘸霈F(xiàn)與凹凸對(duì)應(yīng)的形狀。

另一方面，若使用硬度高的基板作為保護(hù)部件，則幾乎不會(huì)產(chǎn)生這樣的問題。但是，該基板利用熱塑性蠟等粘接劑粘接在晶片上，因此在將基板從磨削后的晶片剝離時(shí)，需要增加浸漬于溶液或進(jìn)行加熱之類的僅用于剝離的作業(yè)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于該問題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供一種晶片的加工方法，在對(duì)晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削時(shí)，充分抑制正面?zhèn)人嬖诘陌纪沟挠绊懀瑫r(shí)不需要磨削后的增加的作業(yè)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供晶片的加工方法，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：保護(hù)膜緊貼步驟，利用保護(hù)膜對(duì)在正面上具有器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的晶片的除了該外周剩余區(qū)域以外的該器件區(qū)域進(jìn)行覆蓋，使該保護(hù)膜效仿凹凸而緊貼在該正面?zhèn)龋渲校谒銎骷^(qū)域中形成有具有所述凹凸的器件；帶保護(hù)部件的晶片形成步驟，利用由通過外部刺激而硬化的硬化型液態(tài)樹脂構(gòu)成的保護(hù)部件對(duì)該保護(hù)膜和露出的該外周剩余區(qū)域進(jìn)行包覆，形成由該保護(hù)部件對(duì)該晶片的該正面?zhèn)冗M(jìn)行覆蓋的帶保護(hù)部件的晶片；磨削步驟，在利用卡盤工作臺(tái)的保持面對(duì)該帶保護(hù)部件的晶片的該保護(hù)部件側(cè)進(jìn)行了保持的狀態(tài)下，對(duì)該晶片的背面進(jìn)行磨削，使該晶片變薄；以及剝離步驟，將該保護(hù)部件和該保護(hù)膜從已變薄的該晶片剝離。

在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以是，該晶片的外周緣的該正面?zhèn)缺贿M(jìn)行了倒角，在該帶保護(hù)部件的晶片形成步驟中，按照對(duì)包含該被進(jìn)行了倒角的該外周緣的該正面?zhèn)鹊囊徊糠衷趦?nèi)的該晶片的該正面?zhèn)冗M(jìn)行覆蓋的方式包覆該保護(hù)部件。

另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以是，在該帶保護(hù)部件的晶片形成步驟中，在隔著該保護(hù)膜將該晶片按壓至被涂布在平坦的片上的該液態(tài)樹脂之后，利用外部刺激使該液態(tài)樹脂硬化而將由該液態(tài)樹脂構(gòu)成的該保護(hù)部件固定在該晶片上。

另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以是，在該保護(hù)膜緊貼步驟中，在減壓下將該保護(hù)膜向該晶片的該正面按壓，然后通過大氣壓使該保護(hù)膜效仿該凹凸而緊貼。

另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以是，在該保護(hù)膜緊貼步驟中，通過隔著緩沖件按壓該保護(hù)膜而將該保護(hù)膜向該晶片的該正面?zhèn)劝磯骸?/p>