[發明專利]電容式隔膜真空計及干刻蝕設備腔體壓力測試系統

在審

• 申請號: 201810368641.0
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN108593198A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 丁俊
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G01L21/00
• 分類號: G01L21/00
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種電容式隔膜真空計及干刻蝕設備腔體壓力測試系統。該電容式隔膜真空計包括：相鄰的第一腔室和第二腔室、設于所述第一腔室和第二腔室之間的壓力隔膜、設于所述第一腔室中的測量電極、設于所述第一腔室中并與測量電極間隔設置的參考電極以及設于所述第二腔室中的過濾網；所述第二腔體用于通入干刻蝕設備腔體的氣體；所述過濾網用于吸附干刻蝕設備腔體的制程副產物以及腔體污染物，防止制程副產物以及腔體污染物附著在壓力隔膜上，導致壓力隔膜發生永久變形或破損，提高電容式隔膜真空計的測試精度，延長電容式隔膜真空計的使用壽命，保證干刻蝕設備腔體的真空壓力值穩定，提高刻蝕率均一性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電容式隔膜真空計及干刻蝕設備腔體壓力測試系統。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶顯示裝置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驅動元件，直接關系平板顯示裝置的顯示性能。

現有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)與彩色濾光片(Color Filter，CF)基板之間灌入液晶分子，并在兩片基板上分別施加像素電壓和公共電壓，通過像素電壓和公共電壓之間形成的電場控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫面。

薄膜晶體管具有多種結構，制備相應結構的薄膜晶體管的材料也具有多種，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中較為優選的一種，由于低溫多晶硅的原子規則排列，載流子遷移率高，對電壓驅動式的LCD而言，LTPS TFT由于其具有較高的遷移率，可以使用體積較小的TFT實現對液晶分子的偏轉驅動，在很大程度上縮小了TFT所占的體積，增加透光面積，得到更高的亮度和解析度。

在液晶顯示及芯片制造行業，均采用干刻蝕(Dry Etch)工藝，Dry Etch工藝需要在低壓高真空的環境中進行的，通常只有10～50mTorr，所以必須要求制程腔真空壓力非常穩定，需要使腔體的壓力維持在某一水準?，F有技術通過一電容式真空壓力計通過隔膜的彎曲量來測定真空壓力，由于制程中副產物容易在真空計的隔膜上附著，隔膜容易被腐蝕，而且隔膜彎曲量隨著時間會發生永久變形甚至破損，即使定期手動調零，真空壓力量測仍然存在一定誤差。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電容式隔膜真空計，通過過濾網吸附制程副產物以及腔體污染物，防止制程副產物以及腔體污染物附著在壓力隔膜表面，導致壓力隔膜發生永久變形或破損，測試精度高，使用壽命長。

本發明的目的還在于提供一種干刻蝕設備腔體壓力測試系統，始終將腔體的真空壓力值維持在一標準值，保證腔體的真空壓力值穩定，提高刻蝕率均一性。

為實現上述目的，本發明提供了一種電容式隔膜真空計，包括：相鄰的第一腔室和第二腔室、設于所述第一腔室和第二腔室之間的壓力隔膜、設于所述第一腔室中的測量電極、設于所述第一腔室中并與測量電極間隔設置的參考電極以及設于所述第二腔室中的過濾網；

所述第二腔體用于通入干刻蝕設備腔體的氣體；

所述過濾網用于吸附干刻蝕設備腔體的制程副產物以及腔體污染物。

所述電容式隔膜真空計還包括設于所述第二腔室中并位于壓力隔膜與過濾網之間的加熱電路。

所述過濾網的材料為聚四氟乙烯。

所述壓力隔膜的材料為鉻鎳鐵合金。