[發明專利]高電壓蕭特基二極管

在審

• 申請號: 201810366529.3
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN110246901A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 徐信佑;王振煌
• 申請（專利權）人: 全宇昕科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張妍

一種高電壓蕭特基二極管，適用于高電壓范圍，其包括基板、磊晶層、多個摻雜區、多個溝槽以及金屬層。磊晶層設置于基板上；多個摻雜區設置于磊晶層內，多個溝槽分別間隔設置于各摻雜區上且位于磊晶層內，各溝槽具有溝槽氧化層以及半導體層，各溝槽氧化層形成于各溝槽的底部和側壁，各半導體層填滿各溝槽；金屬層設置于磊晶層上，并與磊晶層形成蕭特基接面。其中，由于各溝槽的深度為微米等級且具有溝槽氧化層的配置，因此本發明于高電壓范圍時仍能正常運作。

技術領域

本發明關于一種蕭特基二極管，特別是，一種具有溝槽結構且耐高電壓的高電壓蕭特基二極管。

背景技術

隨著電子技術的進步以及電子產品的小型化趨勢，越來越多電子組件利用集成電路制程的方式生產，然而，集成電路型式的電子組件需考慮許多層面，例如耐壓、相互干擾或抗噪聲之類的問題，尤其是應用在電源電路的電子組件，由于電源電路需接受高電壓的輸入，而高電壓的輸入會導致集成電路型式的電子組件燒毀，進而導致電源電路的故障，其為造成電源電路的尺寸無法縮小的主因。

另外，二極管在電源電路中扮演相當重要的角色，因為二極管具備順向導通及逆向截止的特性，所以在電源電路中，二極管作為整流使用以輸出穩定電壓，而為因應電子產品的小型化趨勢，二極管也逐漸邁向集成電路化的方向，但是當電源電路承受高電壓時，集成電路型式的二極管同樣也會因耐不住高壓而燒毀。

綜上所述，本發明的發明者思考并設計一種高電壓蕭特基二極管，以針對現有技術的缺失加以改善，進而增進產業上的實施利用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高電壓蕭特基二極管，用以解決現有技術中所面臨的問題。

基于上述目的，本發明提供一種高電壓蕭特基二極管，適用于高電壓范圍，其包括基板、磊晶層、多個摻雜區、多個溝槽以及金屬層。磊晶層設置于基板上；多個摻雜區設置于磊晶層內，多個溝槽分別間隔設置于各摻雜區上且位于磊晶層內，各溝槽具有溝槽氧化層以及半導體層，各溝槽氧化層形成于各溝槽的底部和側壁，各半導體層填滿各溝槽；金屬層設置于磊晶層上，并與磊晶層形成蕭特基接面。

優選地，基板為硅基板，各溝槽氧化層由二氧化硅組成，各半導體層由多晶硅組成。

優選地，各溝槽氧化層和各半導體層間具有溝槽氮化層，各溝槽氮化層由氮化硅組成。

優選地，各溝槽氮化層和各半導體層間具有溝槽氧化層，溝槽氮化層位于兩層溝槽氧化層之間。

優選地，各溝槽的深度為7微米至15微米之間。

優選地，磊晶層為p型，多個摻雜區為n型。

優選地，磊晶層為n型，多個摻雜區為p型。

優選地，高電壓范圍為200伏特至800伏特。

綜上所述，本發明的高電壓蕭特基二極管，由于各溝槽的深度為微米等級且具有溝槽氧化層和溝槽氮化層的配置，因此本發明在高電壓范圍下仍能正常運行，可將本發明應用于接受高電壓輸入的電源電路中，以達到電源電路小型化的目的。

附圖說明

圖1為本發明的高電壓蕭特基二極管的第一實施例的結構圖；

圖2為本發明的高電壓蕭特基二極管的第一實施例的電壓和電流圖；

圖3為本發明的高電壓蕭特基二極管的第二實施例的結構圖；

圖4為本發明的高電壓蕭特基二極管的第三實施例的結構圖。

標記說明

10：基板

20：磊晶層

30：摻雜區

40：溝槽