[發明專利]高電壓蕭特基二極管在審
| 申請號： | 201810366529.3 | 申請日： | 2018-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN110246901A | 公開（公告）日： | 2019-09-17 |
| 發明（設計）人： | 徐信佑;王振煌 | 申請（專利權）人： | 全宇昕科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯瓊;張妍 |
| 地址： | 中國臺灣新北市中*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磊晶層 高電壓 溝槽氧化層 摻雜區 二極管 半導體層 金屬層 基板 間隔設置 正常運作 側壁 接面 填滿 配置 | ||
1.一種高電壓蕭特基二極管，適用于高電壓范圍，其特征在于，包含：
基板；
磊晶層，設置于所述基板上；
多個摻雜區，設置于所述磊晶層內；
多個溝槽，分別間隔設置于所述各摻雜區上且位于所述磊晶層內，所述各溝槽具有溝槽氧化層以及半導體層，所述各溝槽氧化層形成于所述各溝槽的底部和側壁，所述各半導體層填滿所述各溝槽；以及
金屬層，設置于所述磊晶層上，并與所述磊晶層形成蕭特基接面。
2.如權利要求1所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述基板為硅基板，所述各溝槽氧化層由二氧化硅組成，所述各半導體層由多晶硅組成。
3.如權利要求1所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述各溝槽氧化層和所述各半導體層間具有溝槽氮化層，所述溝槽氮化層由氮化硅組成。
4.如權利要求3所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述各溝槽氮化層和所述各半導體層間具有溝槽氧化層，所述溝槽氮化層位于兩層所述溝槽氧化層之間。
5.如權利要求1所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述各溝槽的深度為7微米至15微米之間。
6.如權利要求1所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述磊晶層為p型，所述多個摻雜區為n型。
7.如權利要求1所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述磊晶層為n型，所述多個摻雜區為p型。
8.如權利要求1所述的高電壓蕭特基二極管，其特征在于，所述高電壓范圍為200伏特至800伏特。
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