[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810365419.5
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN109509756B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H10B43/27
• 分類號: H10B43/27;H10B43/35
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體器件，該半導體器件包括：

下絕緣層；

柵極堆疊件，所述柵極堆疊件被設置在所述下絕緣層上方；

多個支承件，所述多個支承件從所述下絕緣層朝向所述柵極堆疊件延伸；

源層，所述源層被設置在所述下絕緣層與所述柵極堆疊件之間；

溝道圖案，所述溝道圖案包括設置在所述源層與所述柵極堆疊件之間的連接部；以及

源接觸線，所述源接觸線從所述源層起沿著所述柵極堆疊件的側壁延伸并且與所述溝道圖案的所述連接部和所述源層接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述支承件支承所述柵極堆疊件并且穿透所述源層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，該半導體器件還包括源極分離絕緣層，所述源極分離絕緣層具有與所述源層的邊緣共面的側壁，并且所述源極分離絕緣層延伸到所述連接部的側壁上。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，該半導體器件還包括：

虛擬源層，所述虛擬源層面向所述源層，且所述源極分離絕緣層插置在所述虛擬源層與所述源層之間；

外圍絕緣柱，所述外圍絕緣柱穿過所述虛擬源層并且平行于所述支承件延伸；

外圍接觸插塞，所述外圍接觸插塞穿過相應的外圍絕緣柱并且延伸到所述下絕緣層中；以及

驅動晶體管，所述驅動晶體管聯接到相應的外圍接觸插塞。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述源極分離絕緣層和所述支承件由相同的材料形成。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述支承件由絕緣材料形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，該半導體器件還包括金屬層，所述金屬層被設置在所述源層與所述下絕緣層之間，其中，所述金屬層被所述支承件穿透。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述源接觸線包括與所述源層和所述連接部接觸的摻雜半導體層以及形成在所述摻雜半導體層上的金屬層。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述下絕緣層包括第一區域和第二區域，并且

其中，所述支承件從所述下絕緣層的所述第一區域延伸。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，該半導體器件還包括驅動晶體管，所述驅動晶體管被設置在所述下絕緣層下方以與所述第一區域和所述第二區域中的至少一個交疊，并且被配置為形成外圍電路。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述溝道圖案包括從所述連接部延伸并且穿過所述柵極堆疊件的柱，并且

其中，所述連接部圍繞所述支承件。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述柵極堆疊件包括交替堆疊的柵極和層間絕緣層，并且

其中，所述柵極和所述層間絕緣層圍繞所述柱。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述柵極包括：

源極選擇線，所述源極選擇線由第一導電材料和第二導電材料的堆疊結構形成；以及

字線和漏極選擇線，所述字線和所述漏極選擇線被設置在所述源極選擇線上并且由所述第二導電材料形成。