[發(fā)明專利]硅片分選機(jī)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810365065.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-23 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN108389808A | 公開(公告)日: | 2018-08-10 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李文;韋孟銻;王美;丁治祥;徐康寧;李昶;黃浩;桑俞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無錫奧特維科技股份有限公司 | 
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/67 | 
| 代理公司: | 北京路勝元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11669 | 代理人: | 羅巍;張亞彬 | 
| 地址: | 214000*** | 國省代碼: | 江蘇;32 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 檢測(cè)裝置 分選機(jī) 檢測(cè) 臟污 厚度檢測(cè)裝置 太陽能電池片 外形尺寸檢測(cè) 隱裂檢測(cè)裝置 生產(chǎn)效率 單項(xiàng)檢測(cè) 輸送線 隱裂 | ||
1.一種硅片分選機(jī),其特征在于,所述硅片分選機(jī)包括輸送線,所述硅片分選機(jī)還包括外形尺寸檢測(cè)裝置、隱裂檢測(cè)裝置、臟污檢測(cè)裝置、厚度檢測(cè)裝置、P/N型檢測(cè)裝置中的至少兩種,其中:
所述外形尺寸檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)所述輸送線上輸送的硅片的外形尺寸是否合格;
所述隱裂檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)所述硅片上是否存在隱裂;
所述臟污檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)所述硅片的表面上是否存在臟污;
所述厚度檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)所述硅片的厚度是否合格;
所述P/N型檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)所述硅片是P型還是N型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片分選機(jī),其特征在于,所述外形尺寸檢測(cè)裝置包括第一相機(jī)、第一光源、第一光源罩和第一相機(jī)罩,其中:
所述第一光源設(shè)置在所述第一光源罩的內(nèi)部底部,所述第一光源罩的兩側(cè)開設(shè)有能夠使所述輸送線從所述第一光源上方通過的開口;
所述第一相機(jī)罩位于所述第一光源罩的上方,所述第一相機(jī)設(shè)置于所述第一相機(jī)罩的內(nèi)部;
所述第一相機(jī)用于對(duì)通過所述第一光源上方的硅片進(jìn)行拍照,所述第一相機(jī)拍照得到的圖像用于確定所述硅片的外形尺寸是否合格。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片分選機(jī),其特征在于,所述臟污檢測(cè)裝置包括第二相機(jī)、第二光源、第二光源罩、第三相機(jī)、第三光源以及第三光源罩,其中:
所述第二光源設(shè)置在所述第二光源罩的內(nèi)部底部,所述第二光源罩位于所述輸送線的下方,所述第二相機(jī)位于所述第二光源罩、所述輸送線的上方,所述第二相機(jī)用于對(duì)通過所述第二光源上方的硅片的上表面進(jìn)行拍照,所述第二相機(jī)拍照得到的圖像用于確定所述上表面是否存在臟污;
所述第三光源設(shè)置在所述第三光源罩的內(nèi)部底部,所述第三光源罩位于所述輸送線的上方,所述第三相機(jī)位于所述第三光源罩、所述輸送線的下方,所述第三相機(jī)用于對(duì)通過所述第三光源下方的硅片的下表面進(jìn)行拍照,所述第三相機(jī)拍照得到的圖像用于確定所述下表面是否存在臟污。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片分選機(jī),其特征在于,所述厚度檢測(cè)裝置包括第一上光源、第一下光源、第一側(cè)光源、第四相機(jī)、第一棱鏡和第二棱鏡,其中:
所述第一上光源位于所述輸送線的側(cè)邊上方,所述第一下光源位于所述側(cè)邊的下方,所述第四相機(jī)朝向所述側(cè)邊,所述第一側(cè)光源位于所述第四相機(jī)的一側(cè);
所述第一棱鏡位于所述第一上光源、所述輸送線之間,所述第二棱鏡位于所述第一下光源、所述輸送線之間,
所述第一上光源、所述第一下光源以及所述第一側(cè)光源均用于為第一硅片提供光照,所述第一硅片為所述輸送線上所述第四相機(jī)朝向的硅片;所述第一硅片的上表面反射出來的光線通過所述第一棱鏡反射至所述第四相機(jī)上,所述第一硅片的下表面反射出的光線通過所述第二棱鏡反射至所述第四相機(jī)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片分選機(jī),其特征在于,所述硅片分選機(jī)還包括上料裝置,所述上料裝置包括用于裝載待分選的硅片的料籃和移動(dòng)機(jī)構(gòu),其中:
所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)位于所述輸送線的輸送起始端上方的料籃下降的過程中,所述料籃裝載的硅片的下表面與所述輸送線的輸送起始端接觸,所述輸送線帶動(dòng)所述料籃裝載的硅片脫離所述料籃至所述輸送線上進(jìn)行輸送。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片分選機(jī),其特征在于,所述輸送線包括同步傳動(dòng)的兩條第一輸送皮帶,所述硅片分選機(jī)還包括位于所述輸送線下方的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括用于承載硅片的旋轉(zhuǎn)平臺(tái)、第一升降電機(jī)和旋轉(zhuǎn)電機(jī),其中:
所述第一升降電機(jī)帶動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上升的過程中,所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)穿過所述兩條第一輸送皮帶之間以及帶動(dòng)第二硅片脫離所述輸送線,所述第二硅片為位于所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上方的硅片;
所述第二硅片脫離所述輸送線后,所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度使所述第二硅片旋轉(zhuǎn)所述預(yù)定角度,所述第一升降電機(jī)帶動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)下降使所述第二硅片脫離所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)落在所述輸送線上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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