[發(fā)明專利]半導體元件熔絲結構及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810364822.6 | 申請日： | 2018-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN108573952A | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 郭振強 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介質層 熔絲結構 半導體元件 上介質層 鈍化層 第二金屬層 均勻性 熔絲 第一金屬層 均勻性要求 穿過 金屬 襯墊結構 依次設置 中金屬層 硅襯底 制造 | ||
1.一種半導體元件熔絲結構，包括：硅襯底上依次設置有第一介質層、第一金屬層、第二介質層、第二金屬層和鈍化層，熔絲孔穿過鈍化層達到第二介質層，熔絲孔下方具有半導體元件設計容忍厚度的第二介質層，襯墊結構穿過鈍化層連接第二金屬層；其特征在于，還包括：第三介質層，第三介質層設置在第二介質層中,第三介質層下方具有半導體元件設計容忍厚度的第二介質層。
2.如權利要求1半導體元件熔絲結構，其特征在于：第二介質層通過兩次淀積形成。
3.如權利要求1半導體元件熔絲結構，其特征在于：第三介質層厚度為
4.如權利要求1半導體元件熔絲結構，其特征在于：第三介質層是氮化硅或氮氧化硅。
5.一種半導體元件熔絲結構制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)硅襯底上淀積第一介質層；
2)第一介質層上淀積第一金屬層；
3)第二金屬層上第一次淀積第二介質層；
4)在第一次淀積的第二介質層上淀積第三介質層；
5)在第三介質層上第二次淀積第二介質層；
6)在第二次淀積的第二介質層上淀積第二金屬層；
7)在第二金屬層和第二次淀積的第二介質層上淀積鈍化層；
8)在鈍化層上涂抹光刻膠，光刻形成熔絲孔，該熔絲孔穿過第三介質層和第二次淀積的第二介質層達到第一次淀積的第二介質層；
9)在鈍化層上涂抹光刻膠，光刻后制造形成襯墊結構，該襯墊結構與第三金屬層形成接觸。
6.如權利要求5所述的半導體元件熔絲結構制造方法，其特征在于：第一次淀積的第二介質層厚度為半導體元件設計的容忍厚度。
7.如權利要求5所述的半導體元件熔絲結構制造方法，其特征在于：淀積第三介質層厚度為
8.如權利要求5所述的半導體元件熔絲結構制造方法，其特征在于：第三介質層是氮化硅或氮氧化硅。
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