[發(fā)明專利]原子層沉積方法及爐管設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810364782.5
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN110387536A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王宏付
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種原子層沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供一原子層沉積爐管設(shè)備，包括爐管外體、排氣管組、真空泵一及真空泵二，所述爐管外體一側(cè)設(shè)有兩個(gè)進(jìn)氣口，分別為第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口，用于通入不同特氣，在所述第一進(jìn)氣口和所述第二進(jìn)氣口相對于所述爐管外體的另一側(cè)面設(shè)置有排氣口；所述排氣管組設(shè)置在所述爐管外體相對于所述排氣口的另一面，所述排氣管組包含主排氣管一、主排氣管二、支排氣管一、支排氣管二、支排氣管三和支排氣管四；所述支排氣管一相對于所述主排氣管一的另一端與真空泵一相連通，所述真空泵一另一端通過所述支排氣管三與所述主排氣管二連通；所述支排氣管二相對于所述主排氣管一的另一端與真空泵二相連通；所述真空泵二另一端通過所述支排氣管四與所述主排氣管二連通；所述支排氣管一上設(shè)有支閥門一；所述支排氣管二上設(shè)有支閥門二；S1步驟包括：通入惰性氣體至所述爐管外體中，并通過所述真空泵一及所述真空泵二的任一者將所述爐管外體內(nèi)抽真空；

S2：從所述第一進(jìn)氣口通入第一特氣至所述爐管外體中，同時(shí)打開所述支閥門一并關(guān)閉所述支閥門二(152)，使得第一特氣由所述支閥門一通過所述真空泵一，再經(jīng)由所述支排氣管三、所述主排氣管二排出；

S3：停止第一特氣通入，通過抽真空和通入惰性氣體至所述爐管外體中，將里面的殘留漂浮的第一特氣及副產(chǎn)物通過所述真空泵一排出；

S4：從所述第二進(jìn)氣口通入第二特氣至所述爐管外體中，同時(shí)關(guān)閉所述支閥門一，打開所述支閥門二，使得第二特氣經(jīng)由所述支閥門二通過所述真空泵二排出；

S5：停止第二特氣通入，通過抽真空，將所述爐管外體中里面的殘留漂浮的第二特氣及副產(chǎn)物通過所述真空泵二排出；

S6：通入惰性氣體至所述爐管外體中，使得所述爐管外體中及所述排氣管組內(nèi)微量殘留反應(yīng)氣體及微量殘留副產(chǎn)物排出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，其特征在于，步驟S1-S6中所述真空泵一和所述真空泵二是常開的，選擇所述真空泵一和所述真空泵二分別通過控制其前端的所述支閥門一和所述支閥門二來實(shí)現(xiàn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，其特征在于，所述第一特氣至少包含硅源、鋁源、鋯源、鉿源、鉻源氣體中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的原子層沉積方法，其特征在于，所述第二特氣至少包含氧氣、氨氣、臭氧、水蒸氣中的任一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，其特征在于，所述惰性氣體至少包含氮?dú)狻鍤庵械娜我环N。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，其特征在于，步驟S1中排氣使用的真空泵是所述真空泵二。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，其特征在于，步驟S2中在切換所述支閥門一和所述支閥門二時(shí)，選擇先將所述支閥門一開啟，再將所述支閥門二關(guān)閉。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，其特征在于，步驟S4中在切換所述支閥門一和所述支閥門二時(shí)，選擇先將所述支閥門二開啟，再將所述支閥門一關(guān)閉。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的原子層沉積方法，其特征在于，步驟S6中從所述第二進(jìn)氣口通入部分第二特氣以消耗微量殘余的第一特氣，此時(shí)選擇所述真空泵二排出氣體。