[發明專利]具有高熱容量的裝置和用于制造該裝置的方法

在審

• 申請號: 201810362279.6
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108726467A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: B·戈勒;M·施泰爾特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

本公開涉及具有襯底(11)的裝置(10、20、30、40)，其中，在所述襯底(11)的第一側(11A)上布置有MEMS結構組(12)，所述MEMS結構組的輸出信號在溫度變化時變化，此外，該裝置(10、20、30、40)具有布置在所述襯底(11)的所述第一側(11A)上并且具有凹部(14)的殼體結構(13)，所述MEMS結構組(12)布置在所述凹部中。該裝置(10、20、30、40)還具有施加在所述殼體結構(13)處的層(15)，所述層提高所述裝置(10、20、30、40)的熱容量。本公開還涉及用于制造這種裝置(10、20、30、40)的方法。

技術領域

本公開涉及具有權利要求1的特征的裝置以及具有權利要求15的特征的方法。

背景技術

所述類型的裝置具有不同的MEMS封裝形式是已知的。布置在襯底上的電子元件，例如MEMS結構組(微機電系統)在這種情況下由殼體包圍，該殼體保護MEMS結構組免受外部影響，例如灰塵和污垢。一些殼體還可以屏蔽MEMS結構組免受外部電磁輻射。通常，為此使用由金屬制成的殼體。

已知的高頻屏蔽使用例如殼體和襯底電接地的吸收原理。因此，可以顯著減弱或避免通過外部高頻輻射對電子元件的直接照射。

這樣的金屬殼體因此提供了對外部電磁輻射非常好的屏蔽。然而，觀察到一種到目前為止未知的效應，在下文中將該效應稱為高頻熱耦合。這里涉及在屏蔽時出現的殼體的加熱。

在這種高頻熱耦合的情況下，被殼體吸收的高頻能量轉換成熱能。因此，殼體內的溫度突然升高了幾微開爾文。在對隨系統特性變化的溫度變化產生反應的電子元件中，這會導致不希望的效應。例如，對于MEMS麥克風，信噪比(SNR)可能由此會惡化。

因此期望提供封裝以及制造這種封裝的方法，它們提供針對這種高頻熱耦合的保護。

發明內容

本公開為此建議提供具有權利要求1的特征的裝置以及具有權利要求15的特征的方法。在從屬權利要求中描述了其它有利的示例。

這里公開的裝置還具有襯底，其中，在襯底的第一側上布置有MEMS結構組，MEMS結構組的輸出信號在溫度變化時變化。此外，該裝置具有布置在襯底的第一側上的具有布置有MEMS結構組的凹部的殼體結構。在殼體結構處施加有層，該層提高了整個裝置的熱容量，或者至少提高了殼體結構的熱容量。

這些裝置例如可以被制造為單個芯片。然而，也可以例如以晶圓級共同制造多個這樣的裝置。為此，本公開提出了提供具有布置在襯底的第一側上的多個MEMS結構組的晶圓襯底，其中，每個MEMS結構組的輸出信號隨著溫度變化而變化。此外，所提供的晶圓襯底應當具有布置在晶圓襯底的第一側上的多個殼體結構，其中，每個殼體結構具有凹部，在凹部中分別布置有MEMS結構組中的一個MEMS結構組，從而形成封裝。另外，在該方法中，將層施加到封裝的殼體結構的至少一個側部上，其中，該層提高了整個封裝的熱容量。封裝，也即殼體結構，連同布置在殼體結構中的MEMS結構組以及襯底然后可以被分隔。

附圖說明

在附圖中示出并且在下面解釋本公開的實施例。圖示：

圖1是根據本公開的裝置的實施例的側視圖；

圖2是根據本公開的裝置的另外實施例的側視圖；

圖3是根據本公開的裝置的另外實施例的側視圖；

圖4是根據本公開的裝置的另外實施例的側視圖；

圖5A-5F是根據本公開的用于制造裝置的示例性方法流程；

圖6是用于示出根據本公開的方法的單個方法步驟的框圖；

圖7是用于解釋HF熱耦合的效應的原理圖，以及

圖8是用于證明HF熱耦合的效應的測量結果。