[發明專利]具有高熱容量的裝置和用于制造該裝置的方法

在審

• 申請號: 201810362279.6
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108726467A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: B·戈勒;M·施泰爾特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種裝置(10、20、30、40)，具有：

襯底(11)，其中，在所述襯底(11)的第一側(11A)上布置有MEMS結構組(12)，所述MEMS結構組的輸出信號在溫度變化時變化，

布置在所述襯底(11)的所述第一側(11A)上并且具有凹部(14)的殼體結構(13)，所述MEMS結構組(12)布置在所述凹部中；以及

施加在所述殼體結構(13)處的層(15)，所述層提高所述裝置(10、20、30、40)的熱容量。

2.根據權利要求1所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)所具有的熱容量大于所述殼體結構(13)的熱容量。

3.根據權利要求1或2所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)的熱容量是所述殼體結構(13)的熱容量的至少一倍半，或者至少兩倍。

4.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)具有小于或小于或小于的熱導率。

5.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)被構造為澆注到所述殼體結構(13)處的灌封料，或者其中，所述層(15)被構造為布置在所述殼體結構(13)處的成形件。

6.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)具有來自由硅酸鹽、聚酰亞胺或環氧化物構成的組中的至少一個組分。

7.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)布置在所述殼體結構(13)的至少一個外側(19、21、22)處。

8.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)完全覆蓋所述殼體結構(13)的所有外側(19、21、22)。

9.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)布置在所述殼體結構(13)的至少一個內側(31、32、33)上。

10.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)完全覆蓋所述殼體結構(13)的所有內側(31、32、33)。

11.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)包含磁性顆粒。

12.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述層(15)包含金屬顆粒。

13.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(10、20、30、40)，其中，所述MEMS結構組(12)是MEMS麥克風。

14.一種具有根據前述權利要求中任一項所述的多個裝置(10、20、30、40)的晶圓(51)。