[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810361018.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-20
• 公開（公告）號(hào): CN108735736B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 海老池勇史;油谷直毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

有源區(qū)域，其設(shè)置于第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，在該有源區(qū)域形成有在所述半導(dǎo)體層的厚度方向流過主電流的MOS晶體管；以及

終端區(qū)域，其設(shè)置于所述有源區(qū)域的周圍，

所述終端區(qū)域具有沿所述有源區(qū)域而設(shè)置的缺陷檢測(cè)器件，

所述缺陷檢測(cè)器件由具有第1主電極和第2主電極的二極管構(gòu)成，

該第1主電極是在所述半導(dǎo)體層的第1主面之上沿所述有源區(qū)域而設(shè)置的，

該第2主電極設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的第2主面?zhèn)龋?/p>

所述二極管是所述第1主電極與所述半導(dǎo)體層進(jìn)行肖特基接觸的肖特基勢(shì)壘二極管。

2.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

有源區(qū)域，其設(shè)置于第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，在該有源區(qū)域形成有在所述半導(dǎo)體層的厚度方向流過主電流的MOS晶體管；以及

終端區(qū)域，其設(shè)置于所述有源區(qū)域的周圍，

所述終端區(qū)域具有沿所述有源區(qū)域而設(shè)置的缺陷檢測(cè)器件，

所述缺陷檢測(cè)器件由具有第1主電極和第2主電極的二極管構(gòu)成，

該第1主電極是在所述半導(dǎo)體層的第1主面之上沿所述有源區(qū)域而設(shè)置的，

該第2主電極設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的第2主面?zhèn)龋?/p>

所述二極管具有：

PN二極管區(qū)域或PiN二極管區(qū)域，其具有以與所述第1主電極接觸的方式在所述半導(dǎo)體層的上層部選擇性地設(shè)置的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域；以及

所述第1主電極與所述半導(dǎo)體層進(jìn)行肖特基接觸的肖特基勢(shì)壘二極管區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述二極管具有與所述第1主電極的一部分連接的電極焊盤，

所述電極焊盤與所述有源區(qū)域電分離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述有源區(qū)域在俯視觀察時(shí)呈角部成為曲率部的四邊形狀，

所述第1主電極在與所述有源區(qū)域的曲率部對(duì)應(yīng)的部分具有曲率部，

所述電極焊盤配置于所述有源區(qū)域的曲率部與所述第1主電極的曲率部之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具有絕緣膜，該絕緣膜是以至少將所述終端區(qū)域覆蓋的方式設(shè)置的，

所述絕緣膜具有設(shè)置于所述電極焊盤的至少一部分上部，到達(dá)至所述電極焊盤的開口部。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電極焊盤配置為從所述第1主電極的外緣到達(dá)至所述半導(dǎo)體層的外緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述二極管構(gòu)成為，所述第1主電極的底面?zhèn)炔迦胫猎谒霭雽?dǎo)體層的所述第1主面設(shè)置的凹槽部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體層是碳化硅半導(dǎo)體層。