[發明專利]一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理方法

在審

• 申請號: 201810357688.7
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108330489A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 鄒迪華;王鴻國;劉吉揚
• 申請（專利權）人: 云南惠銅新材料科技有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/08;C25D7/06;C25D5/34
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所 53113
• 代理人: 張璽

1.一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理方法，其特征在于，所述方法是在平滑輪廓銅箔表面處理工序中的粗化階段對銅箔毛面進行粗化，使用硫酸銅電解液，在經雙氧水-硫酸微蝕液處理的銅箔毛面形成均勻的瘤化結晶；經雙氧水-硫酸微蝕液處理的銅箔光面形貌不受影響；所述雙氧水-硫酸微蝕液的濃度為10-50g/L。

2.根據權利要求1所述的一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)微蝕減成粗化：在銅箔毛面噴淋酸性微蝕液，對銅箔毛面進行微蝕減成粗化；對銅箔毛面進行微蝕減成粗化的同時，在銅箔光面噴淋DI水；

(2)陰極極化加成：將經步驟(1)處理的平滑輪廓銅箔和粗化陽極浸于硫酸銅電解液中，平滑輪廓銅箔作為陰極，接通電源，完成表面瘤化。

3.根據權利要求2所述的一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理方法，其特征在于，步驟(2)所述的粗化陽極為板狀的鈦電極。

4.一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理裝置，其特征在于，所述裝置應用于權利要求1-3中任意一項所述的平滑輪廓銅箔表面粗化處理方法中。

5.根據權利要求4所述的一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理裝置，其特征在于，包括微蝕槽和電沉積槽，所述微蝕槽和電沉積槽上均設置有用于平滑輪廓銅箔行走的導輥；所述平滑輪廓銅箔在微蝕槽和電沉積槽中的行走路線均為V形；所述微蝕槽內部設置有第一噴淋裝置、第二噴淋裝置和接水槽；所述電沉積槽中設置有板狀的鈦電極。

6.根據權利要求5所述的一種平滑輪廓銅箔表面粗化處理裝置，其特征在于，所述第一噴淋裝置靠近銅箔毛面設置，所述第二噴淋裝置靠近銅箔光面設置；所述接水槽置于微蝕槽底部；所述鈦電極靠近銅箔毛面設置；所述電沉積槽內部置有硫酸銅電解液，所述鈦電極浸沒于硫酸銅電解液中；所述第一噴淋裝置用的進液管與微蝕槽連通；所述第二噴淋裝置用的進液管與接水槽連通。

7.一種高速高頻電路用銅箔，其特征在于，采用權利要求1至3中任一項所述的平滑輪廓銅箔表面粗化處理方法而得到。

8.一種高速高頻電路用銅箔，其特征在于，采用權利要求4至6中任一項所述的平滑輪廓銅箔表面粗化處理裝置而得到。

9.一種覆銅層壓板，其特征在于，采用權利要求7至8中任一項所述的高速高頻電路用銅箔與絕緣層樹脂粘接而得到。

10.一種印制電路板，其特征在于，采用權利要求9所述的覆銅層壓板制得。